[实用新型]一种多基色LED共晶晶片

权利要求书

1.一种多基色LED共晶晶片，其特征在于，所述多基色LED共晶晶片为顶部出光的倒模倒装结构的塔形LED晶片，自上而下包括：

蓝宝石或SiC衬底、N型导电层、P型导电层、ITO电流扩散层、正、负电极和正、负电极之间的绝缘隔离层；

其中，所述衬底上包括图形化的红色、绿色、蓝色或多色区域中的任意两种或多种；所述正电极包括相应的红色正电极、绿色正电极、蓝色正电极或多色正电极中的任意两种或多种，所述各区域共负电极，或者所述负电极包括相应的红色负电极、绿色负电极、蓝色负电极或多色负电极中的任意两种或多种，所述各区域共正电极。

2.根据权利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述N型导电层具体为N型GaN或InGaN或InGaAlP。

3.根据权利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述P型导电层具体为P型GaN或InGaN或InGaAlP。

4.根据权利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述正、负电极的焊盘具体为AuSn或Cu。

5.根据权利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述LED共晶晶片的顶面面积为（45X71）～（108X188）μm²，底面面积为（100X120）～（240X320）μm²，N型导电层与P型导电层构成的PN结面积为（80X100）～（196X266）μm²，厚度为60～140μm²。

6.根据权利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述正电极的焊盘的宽度为30～80μm，长度为98～196μm；所述负电极的焊盘的宽度为45～120μm，长度为98～196μm；所述绝缘隔离层的宽度为38～100μm；所述正、负电极的焊盘的厚度为3±0.5μm。

7.根据权利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述LED共晶晶片还包括电流阻挡层CBL，位于P型导电层下方。