[实用新型]高反压双极型功率晶体管

说明书

技术领域

本实用新型涉及双极型功率晶体，特别涉及一种高反压的双极型功率晶体管。

背景技术

高反压双极型功率晶体管，一般耐压很高，V_CBO≥500V，功率很大，放大倍数不大，常用于电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。双极型功率晶体管通过硅三重扩散平面工艺，输出特性好、电流容量大。反向电压和集电区的掺杂杂质浓度，bc结的深度，基区的宽度，电极的宽度有关。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种高反压，开关特性好，暗电流小的双极型功率晶体管。

高反压双极型功率晶体管，在长宽为3260μm×3260μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，反射区接触孔由反射极金属化电极条连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基极金属化电极条和反射极金属化电极条之间通过绝缘槽分割开。

作为本实用新型的进一步改进，所述双极型功率晶体管的芯片厚度为252±10μm，集电结深度为190±5μm。

作为本实用新型的进一步改进，所述集电区的电阻率为45-55?·cm。

作为本实用新型的进一步改进，所述小反射区的深度为20μm，直径为60μm，相邻两个小反射区之间的距离为140μm，所述反射区接触孔的直径40μm，反射区接触孔上覆盖的金属宽度为90μm。

作为本实用新型的进一步改进，所述基区接触孔的直径为40μm，基区接触孔上覆盖的金属宽度为70μm。

作为本实用新型的进一步改进，所述基区的外围的集电区上设有高掺杂P型硅的保护环，保护环深度为190±5μm，用于减小暗电流。

作为本实用新型的进一步改进，所述基区为长为2830μm的圆角正方形，厚度为基区的厚度为190±5μm。

作为本实用新型的进一步改进，所述绝缘槽的宽度为20μm。

本实用新型采用低掺杂的集电区，获得高反压。本实用新型的版图，使反射极的宽度增加以达到更大的限流，接触孔采用一系列占十字交叉中心位置的小的圆形接触孔，所有反射极电流必须流经接触孔，这样的分布限流比宽反射区窄接触孔的分布限流效果更好，而且面积利用率极高。

附图说明

图1为本实用新型实施例1的结构示意图；

图2为本实用新型实施例1的单位晶格结构示意图；

图3为本实用新型实施例1的单位晶格剖视图；

图4为本实用新型实施例1的保护环结构示意图。

具体实施方式

如图1、图2和图3所示，高反压双极型功率晶体管100，长、宽、高为3260μm×3260μm×252μm的、电阻率为50 ?·cm的低掺杂N型硅的集电区1上设有长为2830μm的圆角正方形的高掺杂P型硅的基区2，基区2上设有高掺杂N型硅的反射区3，基区2和反射区3上设有二氧化硅膜8。反射区3由144个排成阵列的圆形小反射区31组成，每个小反射区31的圆心处的二氧化硅膜8上设有反射区接触孔32，反射区接触孔32内覆盖有金属7，由反射区金属化电极条4连接至反射极电极5。相邻的每四个小反射区31的中心处的基区的二氧化硅膜8上设有基区接触孔21，基区接触孔21内覆盖有金属7，由基区金属化电极条6连接至基极电极8；绝缘槽10将反射区金属化电极条4和基区金属化电极条6分割开，形成叉指状的基区2和反射区3。反射极电极5的面积为150μm *326μm，基极电极8的面积为480μm*1060μm。

如图2所示，双极型功率晶体管的芯片，厚度为252μm，集电结深度为190±5μm。一个单位晶格由一个小反射区31和四角的四分之一基区接触孔21组成。

小反射区31的深度为20μm，直径为60μm，相邻两个小反射区31之间的距离为140μm，小反射区31接触孔的直径为40μm，反射区接触孔上覆盖的金属7的宽度为90μm。

基区2的厚度为190±5μm，基区接触孔21的直径为40μm，基区接触孔21上覆盖的金属7的宽度为70μm。绝缘槽10的宽度为20μm。

如图2和3所示，由集电区1、小反射区31和四周的基区2及基区接触孔21构成的单位晶格尺寸为200μm ×200μm。