[实用新型]隔离式COB光源模组有效

专利信息
申请号: 201320466061.8 申请日: 2013-07-31
公开(公告)号: CN203351667U 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 夏雪松;高艳春;陈志威 申请(专利权)人: 广州硅能照明有限公司
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01L33/52;H01L33/56;H01L33/58
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 汤喜友
地址: 510000 广东省广州市广州高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 隔离 cob 光源 模组
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种隔离式COB光源模组。

背景技术

COB光源一般包括多个蓝光LED芯片,LED芯片上覆盖有黄色荧光粉硅胶层。蓝光LED芯片所发出的蓝光激发黄色荧光粉发出黄绿光,该黄绿色光与蓝光LED芯片发出的蓝光混合而成白光。该LED芯片直接与荧光粉接触,由于LED芯片使用时本身为发热体,使得荧光粉在长期使用过程中受热影响而导致光衰比较严重,从而影响到LED的品质。另外, LED芯片使用过程中,蓝光激发荧光粉会产生能量损耗,进而产生热量,该热量与LED芯片所产生的热量积聚于该荧光粉硅胶层内,由于硅胶是不良散热体,使得该荧光粉硅胶层的温度可高达到220℃,这个温度会在很大程度上影响LED芯片的寿命和品质。此热效应降低了荧光粉的量子效率,进而影响到整体的发光效率。

实用新型内容

针对现有技术的不足,本实用新型的目的旨在于提供一种隔离式COB光源模组,其散热效果好,发光效率高和使用寿命长。

为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:

一种隔离式COB光源模组,其包括基板、若干LED芯片、硅胶隔离层和硅胶荧光层;该基板上设有一围坝圈,该围坝圈和该基板之间构成一芯片安装区域,若干LED芯片均贴装于该芯片安装区域,该硅胶隔离层覆盖于该芯片安装区域上,该硅胶荧光层覆盖于该硅胶隔离层上。

进一步地,该硅胶隔离层的折射率大于或等于该硅胶荧光层的折射率。

进一步地,该硅胶隔离层的厚度为0.85mm至1.05mm。

进一步地,该硅胶荧光层的厚度为0.5mm至0.8mm之间。

进一步地,该LED芯片为蓝光LED芯片,其所发出的蓝光的波长为450nm至460nm,该硅胶荧光层为黄色荧光硅胶层。

进一步地,该基板为98%以上的油墨反射率的铝基板。

进一步地,该围坝圈的高度为1.5mm至2.5mm。

进一步地,所有LED芯片形成纵横交错的芯片阵列,位于同一横行的LED芯片串联连接, 位于同一纵列的LED芯片并联连接。

本实用新型的有益效果如下:

上述实用新型的硅胶隔离层将LED芯片与该硅胶荧光层隔离开,使得硅胶荧光层远离发热体,进而避免LED芯片所发出的热量与该硅胶荧光层产生的热量相聚集造成硅胶荧光层高温,且可避免硅胶荧光层的温度影响到LED芯片,有利于延长LED芯片的使用寿命。该硅胶隔离层的折射率大于该硅胶荧光层的折射率,以避免LED芯片发出的光在硅胶隔离层发生全反射,从而增加光通量,优化光利用率。

附图说明

图1为本实用新型隔离式COB光源模组的较佳实施方式的剖面示意图。

图2为图1的COB光源模组的电气原理示意图。

具体实施方式

下面将结合附图以及具体实施方式,对本实用新型做进一步描述:

请参见图1,本实用新型涉及一种隔离式COB光源模组,其较佳实施方式包括基板10、若干LED芯片20、硅胶隔离层30和硅胶荧光层40。

该基板10上设有一围坝圈15,该围坝圈15和该基板10之间构成一芯片安装区域,若干LED芯片20均贴装于该芯片安装区域,该硅胶隔离层30覆盖于该芯片安装区域上,该硅胶荧光层40覆盖于该硅胶隔离层30上,且该硅胶隔离层30的折射率大于或等于该硅胶荧光层40的折射率,以避免LED芯片20发出的光在硅胶隔离层30发生全反射,从而增加光通量,优化光利用率。该硅胶隔离层30将LED芯片20与该硅胶荧光层40隔离开,使得硅胶荧光层40远离发热体,进而避免LED芯片20所发出的热量与该硅胶荧光层40产生的热量相聚集造成硅胶荧光层40高温,且可避免硅胶荧光层40的温度影响到LED芯片20,有利于延长LED芯片20的使用寿命。

为获得最大的出光效率,该硅胶隔离层30的厚度为0.85mm至1.05mm。为使得温度升高时色坐标的偏移量最小,该硅胶荧光层40的厚度为0.5mm至0.8mm。

本实施例中,该LED芯片20为蓝光LED芯片,其所发出的蓝光的波长为450nm至460nm,该硅胶荧光层40为黄色荧光硅胶层,以使得该COB光源可调节的色温范围广。该基板10为98%以上的油墨反射率的铝基板,以便将LED芯片20的光反射出硅胶层,从而降低LED芯片20的温度,进而延长LED芯片20的使用寿命。该围坝圈15的高度为1.5mm至2.5mm,以方便两层硅胶层的制作。

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