[实用新型]微环谐振腔内嵌FP腔的光学生化传感芯片

权利要求书

1.微环谐振腔内嵌FP腔的光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体，其特征在于，所述SOI基体的单晶硅层包含输入直波导、输出直波导和第一谐振腔，所述第一谐振腔为环状波导构成的微环谐振腔，所述微环谐振腔分别与输入直波导和输出直波导耦合连接，在微环谐振腔的环状波导上还包含光栅FP腔，所述光栅FP腔包含第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅被刻蚀在所述微环谐振腔的环状波导上，所述微环谐振腔与光栅FP腔具有不相同的自由光谱范围，二者光学耦合连接，所述第一光学谐振腔和第二光学谐振腔同为光栅FP腔。 

2.根据权利要求1所述的光学生化传感芯片，其特征在于，光栅FP腔的第一光栅与第二光栅被刻蚀于微环谐振腔的环状波导上，并且第一光栅与第二光栅的中心连线方向与环状波导中该段波导方向一致。 

3.根据权利要求1所述的光学生化传感芯片，其特征在于，光栅FP腔的第一光栅与第二光栅的光栅条文宽度等于环状波导的波导宽度。 

4.根据权利要求2或3所述的光学生化传感芯片，其特征在于，所述光栅FP腔的第一光栅和第二光栅结构相同。 

5.根据权利要求1至3之任一项权利要求所述的光学生化传感芯片，其特征在于，所述的第一光栅或第二光栅包括不少于3个不多于30个周期单元。 

6.根据权利要求5所述的光学生化传感芯片，其特征在于，所述光栅周期单元的周期为0.3um～0.7um之任一值。 

7.根据权利要求6所述的光学生化传感芯片，其特征在于，所述光栅周期单元的占空比为30%～80%之任一值。 

8.根据权利要求6或7所述的光学生化传感芯片，其特征在于，所述光栅周期单元被刻蚀槽的深度为单晶硅层厚度的50%～100%。