[实用新型]阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

随着科技的不断进步，用户对液晶显示设备的需求日益增加，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)也成为了手机、平板电脑等产品中使用的主流显示器。

TFT的性能决定了液晶显示器的显示品质，图1为现有TFT阵列基板的结构示意图，如图1所示，现有TFT阵列基板一般依次包括有衬底基板1、栅电极和栅线11、栅绝缘层5、有源层6、刻蚀阻挡层7、源电极和漏电极8、钝化层9和像素电极10。为了提高栅电极和栅线的导电性能，一般采用Cu来制备栅电极和栅线，但是在采用Cu制备栅电极和栅线之后，栅电极和栅线中的Cu原子容易发生扩散，并且由于栅绝缘层的致密性不是很好，Cu原子会通过栅绝缘层进入到有源层中，增大有源层的导电性，将会严重影响TFT的性能，导致显示器不能正常显示。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种阵列基板和显示装置，能够避免栅电极和栅线中的金属原子在阵列基板中发生扩散。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的栅电极和栅线的外部包覆有金属氧化物薄膜。

进一步地，上述方案中，所述栅电极和栅线的材质为铜，所述金属氧化物薄膜为氧化镁、氧化铬、氧化铪、氧化钙、氧化铝中的一种。

进一步地，上述方案中，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的外部包覆有金属氧化物薄膜的所述栅电极和所述栅线；

所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的有源层；

所述有源层上的刻蚀阻挡层；

所述刻蚀阻挡层上的由所述源漏金属层组成的漏电极、源电极和数据线；

所述漏电极、所述源电极和所述数据线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极电连接。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本实用新型的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，阵列基板的栅电极和栅线的外部包覆有金属氧化物薄膜，能够有效阻挡栅电极和栅线中的金属原子扩散到阵列基板的其他区域，从而不会影响TFT的性能，保证了显示器的正常显示。

附图说明

图1为现有技术中TFT阵列基板的结构示意图；

图2为本实用新型实施例在阵列基板上形成栅电极和栅线后的截面示意图；

图3为本实用新型实施例在阵列基板上对形成栅电极和栅线进行退火后的截面示意图；

图4为本实用新型实施例在阵列基板上形成栅绝缘层后的截面示意图；

图5为本实用新型实施例在阵列基板上形成有源层的图形后的截面示意图；

图6为本实用新型实施例在阵列基板上形成刻蚀阻挡层的图形后的截面示意图；

图7为本实用新型实施例在阵列基板上形成源漏金属层后的截面示意图；

图8为本实用新型实施例在阵列基板上形成源电极、漏电极和数据线后的截面示意图；

图9为本实用新型实施例在阵列基板上形成钝化层的图形后的截面示意图；

图10为本实用新型实施例在阵列基板上形成像素电极后的截面示意图。

附图标记

1衬底基板        2栅金属层    3金属导电部分

4金属氧化物薄膜  5栅绝缘层    6有源层

7刻蚀阻挡层      8源漏金属层  9钝化层

10像素电极

具体实施方式

为使本实用新型的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本实用新型的实施例针对现有技术中栅电极和栅线中的Cu原子容易发生扩散，通过栅绝缘层进入到有源层中，增大有源层的导电性，严重影响TFT的性能，导致显示器不能正常显示的问题，提供一种阵列基板和显示装置，能够避免栅电极和栅线中的金属原子在阵列基板中发生扩散。