[实用新型]一种GaN基LED外延片有效
| 申请号： | 201320444737.3 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN203434181U | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈飞 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 | ||
1.一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括：
衬底；
形成在所述衬底之上的缓冲层；
形成在所述缓冲层上的本征GaN层；
形成在所述本征GaN层之上的N型GaN层；
形成在所述N型GaN层之上的量子阱层；
形成在所述量子阱层之上的第一超晶格结构层；
形成在所述第一超晶格结构层之上的低温P型GaN层；
形成在所述低温P型GaN层之上的电子阻挡层；以及
形成在所述电子阻挡层之上的P型GaN层。
2.如权利要求1所述的GaN基LED外延片，其特征在于，所述第一超晶格结构层包括多级的AlxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构。
3.如权利要求2所述的GaN基LED外延片，其特征在于，最底部的所述AlxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构为Al0.07Ga0.93N/In0.01Ga0.99N超晶格结构；最顶部的所述AlxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构为Al0.12Ga0.88N/In0.005Ga0.995N超晶格结构。
4.如权利要求2所述的GaN基LED外延片，其特征在于，所述第一超晶格结构层厚度为10-30nm。
5.如权利要求1-4任一项所述的GaN基LED外延片，其特征在于，还包括：形成在所述电子阻挡层与所述P型GaN层与之间的第二超晶格结构层。
6.如权利要求5所述的GaN基LED外延片，其特征在于，所述第二超晶格结构层包括多级的InyGa1-yN/AlxGa1-xN超晶格结构。
7.如权利要求6所述的GaN基LED外延片，其特征在于，最底部的所述InyGa1-yN/AlxGa1-xN超晶格结构为In0.005Ga0.995N/Al0.12Ga0.88N超晶格结构；最顶部的所述InyGa1-yN/AlxGa1-xN超晶格结构为In0.01Ga0.99N/Al0.07Ga0.93N超晶格结构。
8.如权利要求7所述的GaN基LED外延片，其特征在于，所述第二超晶格结构层厚度为7-21nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠州比亚迪实业有限公司，未经惠州比亚迪实业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320444737.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种食品药品医疗器械安全棒
- 下一篇：实时监测动物体征信息的无线传感装置
