[实用新型]一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件

权利要求书

1.一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件，包括硅基片衬底、多孔硅层和铂电极，其特征在于，所述硅基片衬底(1)为n型单晶硅基片，硅基片衬底(1)的上面设置有多孔硅层(2)，多孔硅层(2)上表面设置有氧化钨薄膜(3)，氧化钨薄膜(3)的上面设置有铜薄膜(4)，铜薄膜(4)的上表面设置有铂电极正极(5)和铂电极负极(6)。

2.根据权利要求1的一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件，其特征在于，所述硅基片衬底(1)的尺寸为2.4cm×0.9cm。

3.根据权利要求1的一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件，其特征在于，所述多孔硅层(2)的平均孔径为170nm，厚度为68μm。

4.根据权利要求1的一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件，其特征在于，所述氧化钨薄膜(3)的薄膜厚度为35nm。

5.根据权利要求1的一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件，其特征在于，所述铜薄膜(4)的薄膜厚度为8nm。

6.根据权利要求1的一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件，其特征在于，所述铂电极正极(5)和铂电极负极(6)为0.2cm×0.2cm的方形铂电极，电极厚度为80nm，电极间距为8mm。