[实用新型]输入电压浪涌抑制电路有效

专利信息
申请号: 201320404825.0 申请日: 2013-07-08
公开(公告)号: CN203415972U 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 王斌;边宁 申请(专利权)人: 中国航空无线电电子研究所
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 代理人: 杜林雪
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 输入 电压 浪涌 抑制 电路
【权利要求书】:

1.一种输入电压浪涌抑制电路,其特征在于:该输入电压浪涌抑制电路包括连接于电压输入端起反接保护作用的第一二极管(1); 

与所述第一二极管(1)串联的电压采样模块; 

与所述电压采样模块并联的MOSFET控制器;以及 

与所述电压采样模块并联的电压滤波模块。 

2.如权利要求1所述的输入电压浪涌抑制电路,其特征在于:所述电压采样电路包括:第一电阻(6)、第二稳压管(3)、第四电阻(8)、第六电阻(10)、第七电阻(11)、三极管(19)、第二电容(14)和电位器(9); 

所述MOSFET控制电路包括:第一MOSFET(17)、第二MOSFET(18)、第二电阻(7)、第三电阻(12),第一电容(13)和第一稳压管(2); 

所述输入电源滤波电路包括第三电容(15)、第四电容(16)和第七稳压管(5),其中: 

所述第一二极管(1)的正极与电压输入端串联,所述第一电阻(6)、第二电阻(7)、第一稳压管(2)的负极、第一电容正极(13)和第一MOSFET(17)负极并联接入第一二极管(1)的负极,第四电阻(8)、第七稳压管(5)的负极、第三电容(15)的正极和第四电容(16)并联接入第一MOSFET(17)的正极; 

所述第一电阻(6)的另一端与第三稳压管(4)的负极串联,所述第三稳压管(4)的正极与输出电源的负极相连;所述第二电阻(7)的另一 端、第一稳压管(2)的正极、第一电容(13)和第一MOSFET9(17)的正极并联接于第三电阻(12)的一端相连,第三电阻(12)的另一端与第二MOSFET(18)的负极串联,第二MOSFET(18)的正极接地,第二MOSFET(18)第三端接于并联的三极管(19)的集电极、第七电阻(11)和第二电容(14)的一端相连,三极管(19)的发射极、第七电阻(11)和第二电容(14)的另一端与输出电源的负极相连;所述第四电阻(8)的另一端与第二稳压管(3)的负极串联,所述第二稳压管(3)的正极与一端接于三极管(19)的基极的电位器(5)的另一端并联接于第六电阻(10)的一端,所述第六电阻(10)的另一端与输出电压的负极相连;所述第三电容负极(15)、第七稳压管(5)的正极和第四电容(16)的另一端并联接于输出电压的负极。 

3.如权利要求1所述的输入电压浪涌抑制电路,其特征在于:输入电压处于稳态时,该电压采样电路不工作,第一MOSFET(17)处于开关状态,三极管(19)处于截止状态,第一电阻(6)和三极管(19)的分压导致第二MOSFET(18)处于全导通状态,第二电阻(7)与第三电阻(12)的分压使第一MOSFET(17)处于全导通状态。 

4.如权利要求1所述的输入电压浪涌抑制电路,其特征在于:当输入电压有电压尖峰时,第二稳压管(3)通过电流,第四电阻(8)和第六电阻(10)产生分压,第六电阻(10)上的压降通过电位器(9),形成三级管(19)的基极电流Ib,通过调整电位器(9)的值,使浪涌电压峰值在波 动范围内,三极管(19)工作在线性放大区,三极管(19)的导通压降VCE与浪涌电压峰值成反比,并构成了第二MOSFET(18)的栅极电压,第二MOSFET(18)的导通电流与三极管(19)的导通压降VCE成正比,第二MOSFET(18)处于不完全导通状态,使第一MOSFET(17)的栅极电压下降,由全导通状态变换成线性分压状态,吸收前端浪涌电压峰值。 

5.如权利要求2或4所述的输入电压浪涌抑制电路,其特征在于,所述电位器(9)的电阻值的可调的。 

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