[实用新型]一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管

权利要求书

1.一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管，其特征在于：包括具有第一导电类型的衬底（1），所述衬底（1）的背面覆盖有具有第二导电类型的注入层（2），所述衬底（1）的表面覆盖有具有第一导电类型的外延层（3），所述外延层（3）上形成有多个具有第二导电类型的阱区（4），各所述阱区（4）内设有两个第一导电类型接触区（41）和一个第二导电类型接触区（42），各所述阱区（4）内的第二导电类型接触区（42）设于两个第一导电类型接触区（41）之间，相邻两个阱区（4）之间设有沟槽（5），所述沟槽（5）内填充有多晶硅形成多晶硅栅（51），所述多晶硅栅（51）上覆盖有层间氧化介质（6），所述层间氧化介质（6）内设有接触孔（61），各所述阱区（4）内的两个第一导电类型接触区（41）和一第二导电类型接触区（42）均通过接触孔（61）与接地端连接，所述层间氧化介质（6）内还设有多个位于各多晶硅栅（51）上方的金属板（62），所述的多个金属板（62）均与注入层（2）外部连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管，其特征在于：所述沟槽（5）的侧壁和底部均覆有栅氧化层（52）。

3.根据权利要求1所述的一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管，其特征在于：所述金属板（62）与多晶硅栅（51）之间的距离不小于0.35微米。

4.根据权利要求1所述的一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管，其特征在于：所述沟槽（5）的宽度为0.6微米至2微米。

5.根据权利要求1所述的一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管，其特征在于：所述沟槽（5）的深度为0.35微米至1微米。

6.根据权利要求1所述的一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管，其特征在于：所述衬底（1）采用碳化硅形成。