[实用新型]一种不受工艺影响的PTAT电流源

说明书

技术领域

本实用新型涉及PTAT电流源领域，更具体地涉及一种不受工艺影响的PTAT电流源。 

背景技术

现有PTAT电流源一般为带隙基准产生的PTAT电流源，此电流源一般与电阻的工艺角相关，故会随着电阻的工艺角变化而变化，且偏差一般在±20%左右，而我们通常需要一种电流值恒定的PTAT电流源来对电路进行偏置，以减小电流源带来的对电路性能的影响，故现有的PTAT电流源无法满足需求。（其中工艺角为半导体器件在制造过程中，由于在同一块晶元上的位置差别，或者不同批次的晶元之间，其场效应管的参数会有所差异，称之为工艺角，一般分为SS、TT、FF、SF和FS五种工艺角。） 

因此，有必要提供一种不随工艺角变化的PTAT电流源。 

发明内容：

本实用新型的目的是提供一种与工艺角无关的PTAT电流源电路，该PTAT电流源电路实现对SS/TT/FF/SF/FS工艺角的补偿，以保证输出的PTAT电流源不受工艺的影响，产生与工艺角无关的电流。 

为实现上述目的，本实用新型包括一启动电路、一SS/TT/FF补偿电路、一SF/FS补偿电路、一输出电路。所述启动电路负责确保所述PTAT电流源在上电时，让所述PTAT电流源进入到正常的状态，所述SS/TT/FF补偿电路实现对SS/TT/FF工艺角的电流补偿，以确保在SS/TT/FF工艺角下，所述PTAT电流源输出的电流不存在大的偏 差，所述SF/FS补偿电路实现对SF/FS工艺角的电流补偿，以确保在SF/FS工艺角下，所述PTAT电流源输出的电流不存在大的偏差，所述输出电路负责将所述SS/TT/FF补偿电路和所述SF/FS补偿电路产生的电流进行合并，以得到最终的电流输出。 

较佳的，所述SS/TT/FF补偿电路包括一第一场效应管、一第二场效应管、一第三场效应管、一第四场效应管、一第五场效应管、一第六场效应管、一第七场效应管、一第八场效应管、一第九场效应管。所述第一场效应管的源极、所述第二场效应管的源极与电源相连，所述第一场效应管的栅极和漏极与所述第三场效应管的源极相连，所述第二场效应管的栅极和漏极与所述第四场效应管的源极相连，所述第三场效应管的栅极、所述第四场效应管的栅极和漏极、所述第六场效应管的漏极共同连接，所述第三场效应管的漏极、所述第八场效应管的栅极与所述第五场效应管的漏极共同连接，所述第五场效应管的栅极、所述第六场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极和漏极与所述第八场效应管的漏极共同连接，所述第五场效应管的源极、所述第六场效应管的源极、所述第九场效应管的源极与地线相接，所述第七场效应管的栅极和漏极、所述第八场效应管的源极相连，所述第七场效应管的源极与电源相连。 

较佳的，所述第一场效应管、所述第二场效应管必须具备足够大的宽长比，以使所述第一场效应管、所述第二场效应管工作在亚阈值区。 

较佳的，所述SF/FS补偿电路包括一第十场效应管、一第十一场效应管、一第十二场效应管、一第十三场效应管、一第十四场效应管。 所述第十场效应管的栅极与所述第七场效应管的栅极相连，所述第十场效应管的源极与电源相连，所述第十场效应管的漏极、所述第十二场效应管的漏极与所述第十三场效应管的栅极共同连接，所述第十二场效应管的栅极、所述第十三场效应管的源极与所述第十四场效应管的源极共同连接，所述第十二场效应管的源极、所述第十四场效应管的栅极和漏极与地线相连，所述第十三场效应管的漏极与所述第十一场效应管的栅极和漏极相连，所述第十一场效应管的源极与电源相连。 

较佳的，所述第十二场效应管与所述第十四场效应管的宽长比之比应等于工艺文件中P型场效应管的电子迁移率与N型场效应管的电子迁移率之比。 

较佳的，所述输出电路包括一第十五场效应管、一第十六场效应管、一第十七场效应管、一第十八场效应管。所述第十五场效应管的栅极与所述第七场效应管的栅极相连，所述第十五场效应管的漏极、所述第十六场效应管的漏极、所述第十七场效应管的漏极和栅极、所述第十八场效应管的栅极共同连接，所述第十六场效应管的栅极与所述第十一场效应管的栅极相连，所述第十五场效应管的源极、所述第十六场效应管的源极与电源相连，所述第十七场效应管的源极、所述第十八场效应管的源极与地线相连，所述第十八场效应管的漏极与PTAT电流源的输出端相连。