[实用新型]一种不受工艺影响的PTAT电流源

权利要求书

1.一种不受工艺影响的PTAT电流源，包括一启动电路、一SS/TT/FF补偿电路、一SF/FS补偿电路、一输出电路，所述启动电路负责确保所述PTAT电流源在上电时，让所述PTAT电流源进入到正常的状态，所述SS/TT/FF补偿电路实现对SS/TT/FF工艺角的电流补偿，以确保在SS/TT/FF工艺角下，所述PTAT电流源输出的电流不存在偏差，所述SF/FS补偿电路实现对SF/FS工艺角的电流补偿，以确保在SF/FS工艺角下，所述PTAT电流源输出的电流不存在大的偏差，所述输出电路负责将所述SS/TT/FF补偿电路和所述SF/FS补偿电路产生的电流进行合并，以得到最终的电流输出。 

2.如权利要求1所述的PTAT电流源，其特征在于：所述SS/TT/FF补偿电路包括一第一场效应管、一第二场效应管、一第三场效应管、一第四场效应管、一第五场效应管、一第六场效应管、一第七场效应管、一第八场效应管、一第九场效应管，所述第一场效应管的源极、所述第二场效应管的源极与电源相连，所述第一场效应管的栅极和漏极与所述第三场效应管的源极相连，所述第二场效应管的栅极和漏极与所述第四场效应管的源极相连，所述第三场效应管的栅极、所述第四场效应管的栅极和漏极、所述第六场效应管的漏极共同连接，所述第三场效应管的漏极、所述第八场效应管的栅极与所述第五场效应管的漏极共同连接，所述第五场效应管的栅极、所述第六场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极和漏极与所述第八场效应管的漏极共同 连接，所述第五场效应管的源极、所述第六场效应管的源极、所述第九场效应管的源极与地线相接，所述第七场效应管的栅极和漏极、所述第八场效应管的源极相连，所述第七场效应管的源极与电源相连。 

3.如权利要求2所述的PTAT电流源，其特征在于：所述第一场效应管、所述第二场效应管必须具备足够大的宽长比，以使所述第一场效应管、所述第二场效应管工作在亚阈值区。 

4.如权利要求1所述的PTAT电流源，其特征在于：所述SF/FS补偿电路包括一第十场效应管、一第十一场效应管、一第十二场效应管、一第十三场效应管、一第十四场效应管，所述第十场效应管的栅极与所述第七场效应管的栅极相连，所述第十场效应管的源极与电源相连，所述第十场效应管的漏极、所述第十二场效应管的漏极与所述第十三场效应管的栅极共同连接，所述第十二场效应管的栅极、所述第十三场效应管的源极与所述第十四场效应管的源极共同连接，所述第十二场效应管的源极、所述第十四场效应管的栅极和漏极与地线相连，所述第十三场效应管的漏极与所述第十一场效应管的栅极和漏极相连，所述第十一场效应管的源极与电源相连。 

5.如权利要求4所述的PTAT电流源，其特征在于：所述第十二场效应管与所述第十四场效应管的宽长比之比应等于工艺文件中P型场效应管的电子迁移率与N型场效应管的电子迁移率之比。 

6.如权利要求1所述的PTAT电流源，其特征在于：所述输出电路包括一第十五场效应管、一第十六场效应管、一第十七场效应管、一第十八场效应管，所述第十五场效应管的栅极与所述第七场效应管 的栅极相连，所述第十五场效应管的漏极、所述第十六场效应管的漏极、所述第十七场效应管的漏极和栅极、所述第十八场效应管的栅极共同连接，所述第十六场效应管的栅极与所述第十一场效应管的栅极相连，所述第十五场效应管的源极、所述第十六场效应管的源极与电源相连，所述第十七场效应管的源极、所述第十八场效应管的源极与地线相连，所述第十八场效应管的漏极与PTAT电流源的输出端相连。 

7.如权利要求1所述的PTAT电流源，其特征在于：所述启动电路包括一第十九场效应管、一第二十场效应管、一第二十一场效应管、一第二十二场效应管、一第二十三场效应管、一第二十四场效应管，所述第十九场效应管的栅极与所述第七场效应管的栅极相连，所述第十九场效应管的源极与电源相连，所述第十九场效应管的漏极、所述第二十二场效应管的漏极和栅极、所述第二十三场效应管的栅极共同连接，所述第二十二场效应管的源极、所述第二十三场效应管的源极与地线相连，所述第二十三场效应管的漏极、所述第二十一场效应管的漏极和栅极、所述第二十场效应管的栅极、所述第二十四场效应管的栅极共同连接，所述第二十场效应管的漏极与所述第二十一场效应管的源极相连，所述第二十场效应管的源极与电源相连，所述第二十四场效应管的漏极与所述第八场效应管的栅极相连，所述第二十四场效应管的源极与地线相连。