[实用新型]一种高压半导体器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件，更具体地说，本实用新型涉及一种双阱工艺的高压半导体器件。

背景技术

高压半导体器件通常采用低浓度掺杂阱作为体区以获得高击穿电压，而低压半导体器件通常采用高浓度掺杂阱作为体区以获得低导通电阻。一般来说，采用高浓度掺杂阱作为体区的半导体器件具有较高的阈值电压，而采用低浓度掺杂阱作为体区的半导体器件具有较低的阈值电压。因此，为了制作高压半导体器件，大部分现有BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺采用具有第一掺杂类型的低浓度掺杂阱作为体区，并在该体区上添加额外一层来调整阈值电压，从而使形成的高压半导体器件具有和低压半导体器件一致的阈值电压。这种方法增加了成本。

另外一种现有技术采用具有第二掺杂类型的低浓度掺杂阱作为漏极区，同时采用具有第一掺杂类型的低压阱作为体区。这种方法无需使用额外的调节层，但该方法需要额外的具有第二掺杂类型的低浓度掺杂阱，也增加了成本。

实用新型内容

因此本实用新型的目的在于解决现有技术的上述技术问题，提出一种高压半导体器件。

为实现上述目的，根据本实用新型的实施例，提出了一种高压半导体器件，包括：具有第二掺杂类型的外延层；形成在外延层内的第一低压阱，所述第一低压阱具有第二掺杂类型；形成在外延层内的第二低压阱，所述第二低压阱具有第一掺杂类型；形成在外延层内的高压阱，所述高压阱具有第一掺杂类型，其中所述第二低压阱被所述高压阱围绕；形成在第一低压阱内的第一重掺杂区，所述第一重掺杂区具有第二掺杂类型；形成在第二低压阱内的第二重掺杂区，所述第二重掺杂区具有第二掺杂类型；形成在第二低压阱内的第三重掺杂区，所述第三重掺杂区具有第一掺杂类型，其中第三重掺杂区毗邻所述第二重掺杂区；形成在外延层内的场氧，所述场氧具有浅沟道隔离结构；以及形成在外延层上的栅极区。

根据本实用新型的实施例，其中所述高压半导体器件进一步包括：具有第一掺杂类型的掩埋层，所述掩埋层形成在所述外延层的下面。

根据本实用新型的实施例，其中所述第一低压阱作为漏极体区；所述第二低压阱作为源极体区；所述高压阱作为支持体区。

根据本实用新型的实施例，其中所述第二低压阱的掺杂浓度高于高压阱的掺杂浓度。

根据本实用新型的实施例，其中所述高压半导体器件进一步包括：与所述第一重掺杂区接触的漏极电极；以及与所述第二重掺杂区和第三重掺杂区接触的源极电极。

为实现上述目的，根据本实用新型的实施例，还提出了一种高压半导体器件，包括：具有第二掺杂类型的外延层；形成在外延层内的第一低压阱，所述第一低压阱具有第二掺杂类型；形成在外延层内的第二低压阱，所述第二低压阱具有第一掺杂类型；形成在外延层内的高压阱，所述高压阱具有第一掺杂类型，其中所述第二低压阱被所述高压阱围绕；形成在第一低压阱内的第一重掺杂区，所述第一重掺杂区具有第二掺杂类型；形成在第二低压阱内的第二重掺杂区，所述第二重掺杂区具有第二掺杂类型；形成在第二低压阱内的第三重掺杂区，所述第三重掺杂区具有第一掺杂类型，其中第三重掺杂区毗邻所述第二重掺杂区；形成在外延层上的场氧；以及形成在外延层和场氧上的栅极区。

根据本实用新型的实施例，其中所述高压半导体器件进一步包括：具有第一掺杂类型的掩埋层，所述掩埋层形成在所述外延层的下面。

根据本实用新型的实施例，其中所述第一低压阱作为漏极体区；所述第二低压阱作为源极体区；所述高压阱作为支持体区。

根据本实用新型的实施例，其中所述第二低压阱的掺杂浓度高于高压阱的掺杂浓度。

根据本实用新型的实施例，其中所述高压半导体器件进一步包括：与所述第一重掺杂区接触的漏极电极；以及与所述第二重掺杂区和第三重掺杂区接触的源极电极。

根据本实用新型各方面的上述高压半导体器件，减少了工艺制作的层数，降低了成本。

附图说明

图1为根据本实用新型一实施例的高压半导体器件100的剖面示意图；

图2A～2H以剖面图的形式示意性地示出根据本实用新型一个实施例形成高压半导体器件的工艺过程中半导体衬底的变化；

图3为根据本实用新型另一实施例的高压半导体器件200的剖面示意图；

图4A～4G以剖面图的形式示意性地示出根据本实用新型又一个实施例形成高压半导体器件的工艺过程中半导体衬底的变化。

具体实施方式