[实用新型]由同型MOS晶体管与MOS电容器构成的像素单元电路有效
申请号: | 201320358664.6 | 申请日: | 2013-06-21 |
公开(公告)号: | CN203325415U | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 代永平;李明;刘宇佳;刘彐娇;史景祎;赵瑜;刘艳艳 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mos 晶体管 电容器 构成 像素 单元 电路 | ||
技术领域
本实用新型属于信息科学技术学科的微电子应用技术领域;具体地说属于硅基液晶显示器芯片像素单元电路领域。
背景技术
基于单晶硅平面器件制造技术与液晶显示(LCD,Liquid Crystal Display)技术相融合,产生出硅基液晶显示器,简称硅基液晶(LCOS,Liquid Crystal on Silicon)显示技术,该显示技术制造出一种新型的反射式LCD显示器件,它首先在单晶硅片上运用金属氧化物半导体(MOS,Metal Oxide Semiconductor)工艺制作LCOS驱动硅基板,然后镀上表面光洁的金属层当作反射镜,最后将LCOS驱动硅基板与含有透明电极之上玻璃基板贴合,并灌入液晶材料形成反射式液晶屏,通过调制LCOS驱动硅基板上每个像素电极对入射光的反射程度实现(灰度)图像显示。(Chris Chinnock. “Microdisplays and Manufacturing Infrastructure Mature at SID2000”《Information Display》,2000年9,P18)。
通常,LCOS像素单元电路由1个N型沟道金属氧化物半导体(NMOS,N-channel Metal Oxide Semiconductor)晶体管和1个平板电容器串联构成(R.Ishii, S.Katayama, H.Oka, S.yamazaki, S.lino“U. Efron, I. David, V. Sinelnikov, B. Apter“A CMOS/LCOS Image Transceiver Chip for Smart Goggle Applications”《 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS FOR VIDEO TECHNOLOGY》, 14卷,第2期,2004年2月,P269),其中平板电容器由上电极和下电极组成,但在常规CMOS半导体芯片生产过程中,只为CMOS器件制作栅极提供一个电极的工序,即制作平板电容器需要在常规CMOS半导体芯片生产过程中提供两个电极的工序;另外,上电极和下电极之间仅是它们的交叠部分对电容器的电容值有贡献,非交叠部分必须有且用做电极连接区间,如此则增大了平板电容器的面积,不利于芯片整体成本降低。因此如何减小电容器的面积,并最大限度与常规CMOS半导体芯片生产工序匹配,是目前LCOS显示技术的重要研究课题。
发明内容
本实用新型目的是解决如何减小电容器的面积且最大限度与常规CMOS半导体芯片生产工序匹配的问题,提供一种新的LCOS像素单元电路结构,即由同型MOS晶体管与MOS电容器构成的像素单元电路。
本实用新型的技术方案:
由同型MOS晶体管与MOS电容器构成的像素单元电路,该电路由同型的1个NMOS晶体管(19)和1个NMOS电容器(26)或由同型的1个PMOS晶体管(8)和一个PMOS电容器(13)组成,其中,同型的晶体管和电容器形成电学串联,且电容器的源极和电容器的漏极悬空,在实际器件结构中不设置。
电路之一:所述的NMOS晶体管(19)中,NMOS晶体管的栅极(18)接正相电压扫描线(14),NMOS晶体管的背电极(17)与地线(15)连通,NMOS晶体的源极(16)接数据输入线(1),NMOS晶体的漏极(20)连接到输出电极线(21);
所述的NMOS电容器(26)中,NMOS电容器的栅极(25)连接到输出电极线(21),NMOS电容器的背电极(23)与地线(15)连通,NMOS电容器的源极(22)和NMOS电容器的漏极(24)悬空。
电路之二:所述的PMOS晶体管(8)中,PMOS晶体管的栅极(5)接反相电压扫描线(2),PMOS晶体管的背电极(6)与电源线(4)连通,PMOS晶体的源极(3)接数据输入线(1),PMOS晶体的漏极(7)连接到输出电极线(21);
所述的PMOS电容器(13)中,PMOS电容器的栅极(12)连接到输出电极线(21),PMOS电容器的背电极(10)与电源线(4)连通,PMOS电容器的源极(9)和PMOS电容器的漏极(11)悬空。
本实用新型的有益效果是:
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