[实用新型]由同型MOS晶体管与MOS电容器构成的像素单元电路

权利要求书

1.一种由同型MOS晶体管与MOS电容器构成的像素单元电路，其特征在于该电路由同型的1个NMOS晶体管（19）和1个NMOS电容器（26）或由同型的1个PMOS晶体管（8）和一个PMOS电容器（13）组成，其中，同型的晶体管和电容器形成电学串联，且电容器的源极和电容器的漏极悬空，在实际器件结构中不设置。

2.根据权利要求1所述的由同型MOS晶体管与MOS电容器构成的像素单元电路，其特征在于所述的NMOS晶体管（19）中，NMOS晶体管的栅极（18）接正相电压扫描线（14），NMOS晶体管的背电极（17）与地线（15）连通，NMOS晶体的源极（16）接数据输入线（1），NMOS晶体的漏极（20）连接到输出电极线（21）；

所述的NMOS电容器（26）中，NMOS电容器的栅极（25）连接到输出电极线（21），NMOS电容器的背电极（23）与地线（15）连通，NMOS电容器的源极（22）和NMOS电容器的漏极（24）悬空。

3.根据权利要求1所述的由同型MOS晶体管与MOS电容器构成的像素单元电路，其特征在于所述的PMOS晶体管（8）中，PMOS晶体管的栅极（5）接反相电压扫描线（2），PMOS晶体管的背电极（6）与电源线（4）连通，PMOS晶体的源极（3）接数据输入线（1），PMOS晶体的漏极（7）连接到输出电极线（21）；

所述的PMOS电容器（13）中，PMOS电容器的栅极（12）连接到输出电极线（21），PMOS电容器的背电极（10）与电源线（4）连通，PMOS电容器的源极（9）和PMOS电容器的漏极（11）悬空。