[实用新型]一种提高方阻均匀性的装置有效
申请号: | 201320347662.7 | 申请日: | 2013-06-18 |
公开(公告)号: | CN203325958U | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 许文凤;郭兴刚;钱昆;贾静;吕高龙;陈龙;张满良;梁汉杰 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/22 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 刘燕娇 |
地址: | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 均匀 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种提高方阻均匀性的装置。
背景技术
随着方阻阻值的升高,方阻片内的扩散均匀性会越来越差,目前在研究太阳能电池片的过程中,发现是否能得到高效的太阳能电池片主要难点是能否得到低表面浓度的高方阻,因此如何提高方阻的扩散均匀性很有研究的意义。
实用新型内容
实用新型目的:本实用新型所要解决的技术问题是提供一种提高方阻均匀性的方法,该方法通过改变扩散炉管内进气球碗的结构,提高了待扩散物质在扩散炉管内的均匀性,从而提高了方阻片内的均匀性。
实用新型内容:为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案为:
一种提高方阻均匀性的装置,包括位于扩散炉管内的进气球碗,所述进气球碗包括进气端、球碗部分和排气端,所述进气端和球碗部分相互连通,所述排气端呈U型,其一端端口封闭,另一端端口与所述球碗部分连接,在排气端与球碗部分的连接处设有阀门,排气端的侧壁上设有孔。
其中,所述排气端侧壁上孔的个数为4个。
其中,所述排气端具有两个相对的侧壁,4个孔位于其中一个侧壁上,或分别位于两个相对的侧壁上。
其中,所述阀门与排气端封闭一端端口的距离为15-20mm。
其中,所述进气球碗的长度为200mm。
其中,所述进气端的长度为31.5mm。
反应原理:待扩散物质从进气端进入进气球碗,在球碗部分混合均匀后,由于待扩散物质里含有气体,气体压力将球碗部分与排气端连接处的阀门打开,并将待扩散物质经过排气端侧壁上的孔均匀喷洒到扩散炉管内,在扩散炉管内形成均匀的气流,待扩散物质在扩散炉管内的均匀性提高,从而实现了扩散方阻片的高均匀性。待扩散物质为N2、O2和LN2。
有益效果:相比于现有技术,本实用新型的装置通过改变扩散炉管内进气球碗的结构,使待扩散物质在进气球碗中混合均匀再将混合均匀的待扩散物质均匀的喷洒到扩散炉管内,通过将待扩散物质在扩散炉管内的均匀性提高,从而实现了扩散方阻片的高均匀性,本实用新型的装置大大提高了方阻片内的均匀性,即使是高方阻片,方阻片内仍然可以保持高的均匀性。
附图说明
图1为本实用新型提供的提高扩散方阻均匀性装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐明本实用新型,应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围,在阅读了本实用新型之后,本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
如图1所示,一种提高方阻均匀性的装置,包括位于扩散炉管内的进气球碗5,所述进气球碗5包括进气端1、球碗部分2和排气端3,所述进气端1和球碗部分2相互连通,所述排气端3呈U型,其一端端口封闭,另一端端口与所述球碗部分2连接,在排气端3与球碗部分2的连接处设有阀门4,排气端的侧壁上设有孔,排气端3侧壁上孔的个数为4个,排气端3具有两个相对的侧壁,4个孔可以开在其中一个侧壁上,也可以分别开在两个相对的侧壁上,所述阀门4与排气端3封闭的一端距离为15~20mm,进气球碗5的长度为200mm,进气端1的长度为31.5mm。
反应原理:待扩散物质从进气端1进入进气球碗5,在球碗部分2混合均匀后,由于待扩散物质里含有气体,气体压力将球碗部分2与排气端3连接处的阀门4打开,并将待扩散物质经过排气端3侧壁上的孔均匀喷洒到扩散炉管内,在扩散炉管内形成均匀的气流,待扩散物质在扩散炉管内的均匀性提高,从而实现了扩散方阻片的高均匀性。待扩散物质为N2、O2和LN2。
本实用新型的装置通过改变扩散炉管内进气球碗的结构,使待扩散物质在进气球碗中混合均匀再将混合均匀的待扩散物质均匀的喷洒到扩散炉管内,通过将待扩散物质在扩散炉管内的均匀性提高,实现了扩散方阻片的高均匀性。本实用新型的装置大大提高了方阻片内的均匀性,即使是高的方阻片,方阻片内仍然可 以保持高均匀性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的