[实用新型]一种阵列基板、触控面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201320313710.0 申请日: 2013-05-31
公开(公告)号: CN203299793U 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 孙建;李付强;李成 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044;G02F1/1333
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 杜秀科
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 面板 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及液晶显示技术领域,尤其涉及到一种阵列基板、触控面板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的飞速发展,触控面板(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前,触控面板按照工作原理可以分为:电阻式、电容式、红外线式以及表面声波式。其中,电容式触控面板由于能够实现真正的多点控制和高灵敏度而成被业内广泛应用。

电容触摸屏按组成结构可分为:外挂式触摸屏、覆盖表面式触摸屏以及内嵌式触摸屏。其中,外挂式触摸屏是将触摸屏与显示屏分开生产,然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏,外挂式触摸屏存在制作成本高、光透过率较低、组模较厚等确定。而内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电机内嵌在液晶显示屏内部,可以减薄模组整体的厚度,又可以大大降低触摸屏的制作成本。因此,内嵌式触摸屏受到各大面板厂家青睐。

目前,现有的电容式内嵌触摸屏是采用两个平行的电极来形成电容,当操作者触摸触控面板时,改变交叉处的电容量,通过电容量的变化来确定操作者触摸到屏幕的位置。如图1所示和图2所示,图1为现有技术中阵列基板的结构示意图;图2为现有技术中电容内嵌式触控面板的结构示意图。现有触控面板的阵列基板10包括多条栅线50、多条数据线60、多个第二膜晶体管20、多个第一晶体管40、触控感应线30、触控扫描线80和感应电极31,其中,所述触控感应线30和所述感应电极31位于同一层面,且触控感应线30和感应电极31的侧端面相对而置形成耦合电容,所述感应电极31与所述第一晶体管40的源极43连接,所述触控扫描线80与所述第一晶体管40的栅极41和漏极44连接。当操作者触摸到触控面板时,影响到触控感应线30和感应电极31之间的电容量,使操作者触摸处的耦合电容于其他位置的耦合电容的电容量不同,触摸屏根据接收到的电容量发生变化的耦合电容的位置来确定操作者触摸触控面板的位置。

现有技术的缺陷在于,如图2所示,现有电容屏采用的平行于平面内的触控感应线和感应电极形成的耦合电容需占用较大的探测单元面积,由于耦合电容位于显示屏上的非显示区域,因此降低了触控面板的开口率,从而影响到显示装置的亮度。

实用新型内容

本实用新型提供了一种阵列基板、触控面板及显示装置,用以提高触控面板的开口率,进而提高显示装置的亮度。

本实用新型一种阵列基板,包括多条栅线和数据线,还包括:多个触控感应单元,所述触控感应单元包括彼此交错的触控扫描线和触控感应线、第一晶体管以及感应电极,所述触控扫描线与所述第一晶体管的栅极和漏极连接,所述感应电极与所述第一晶体管的源极连接;

所述触控感应线与所述感应电极绝缘分层设置且具有交叠区域。

优选的,所述触控感应线与所述数据线同层平行设置。

优选的,所述阵列基板还包括:多个像素单元,每个像素单元包括第二晶体管以及与所述第二晶体管的源极连接的像素电极,所述感应电极与所述像素电极同层绝缘设置。

优选的,所述感应电极与所述栅线同层绝缘设置。

优选的,多条所述栅线中的至少一条为所述触控扫描线。

优选的,所述阵列基板还包括多个像素单元,每相邻三个所述像素单元对应设置有一个所述触控感应单元。

优选的,所述感应电极为条形电极、方形电极、T型电极或者L型电极。

本实用新型还提供了一种触控面板,包括上述任一种阵列基板。

本实用新型还提供了一种显示装置,包括上述任一种触控面板。

本实用新型有益效果如下:采用触控感应线和感应电极形成的耦合电容来感应操作者触摸触控面板的位置,由于单位面积的垂直设置的耦合电容的电容量大于平行设置的耦合电容的电容量,从而在达到相同灵敏度的同时,减小了阵列基板上非显示区域的面积,提高了触控面板的开口率,进而提高了显示装置的显示亮度。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的结构示意图;

图2为现有技术中电容内嵌式触控面板的结构示意图;

图3为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构示意图;

图4为本实用新型实施例提供的电容内嵌式触控面板的的结构示意图。

附图标记:

10-阵列基板            20-第二晶体管               30-触控感应线

31-感应电极            40-第一晶体管               41-栅极

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