[实用新型]栅控二极管、电池充电组件和发电机组件

权利要求书

1.一种栅控二极管，包括：

第一导电类型的源极区域和漏极区域，该源极区域直接毗邻第一表面并且该漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面，该漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域；

与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区域，该基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间；并且其中

该漏极区域包括多个调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域其中之一且分别布置在相应基极区域和该第二表面之间，并且具有的净掺杂剂浓度为在毗邻调节区域的漂移区域的部分中的净掺杂剂浓度的至少两倍。

2.根据权利要求1所述的栅控二极管，其中调节区域中的净掺杂剂浓度为在毗邻调节区域的漂移区域的部分中的净掺杂剂浓度的至少十倍。

3.根据权利要求1所述的栅控二极管，其中在相应一个基极区域中在与第一表面正交的垂直方向上的净掺杂剂浓度的梯度是最陡峭的部分中，该调节区域毗邻该基极区域。

4.根据权利要求1所述的栅控二极管，还包括栅电极以及分别位于基极区域其中之一和栅电极其中之一之间的栅极电介质。

5.根据权利要求4所述的栅控二极管，其中该基极区域与该源极区域和栅电极电连接。

6.根据权利要求1所述的栅控二极管，其中该漏极区域包括衬底层，该衬底层的净掺杂剂浓度为漂移区域中的净掺杂剂浓度的至少十倍。

7.根据权利要求6所述的栅控二极管，其中该漂移区域将该衬底层与该调节区域分离。

8.根据权利要求1所述的栅控二极管，其中该基极区域分别包括基极接触区域，该基极接触区域直接毗邻该第一表面，并且基极接触区域中的净掺杂剂浓度为在基极接触区域之外的基极区域的部分中的净掺杂剂浓度的至少十倍。

9.根据权利要求8所述的栅控二极管，其中该调节区域分别直接毗邻基极接触区域其中之一。

10.根据权利要求8所述的栅控二极管，其中该第二表面和该基极接触区域之间的距离小于该第二表面和在基极接触区域之外的基极区域的部分之间的距离。

11.根据权利要求1所述的栅控二极管，其中该基极区域分别包括阱注入区域和基极延伸区域，该基极延伸区域形成于阱注入区域和第二表面之间并且直接毗邻阱注入区域，并且基极延伸区域中的净掺杂剂浓度不低于毗邻基极延伸区域的阱注入区域的部分中的净掺杂剂浓度。

12.根据权利要求1所述的栅控二极管，还包括在基极区域和漂移层之间在垂直方向上延伸的第一导电类型的第一柱以及在该垂直方向上延伸并且与该基极区域连接的第二导电类型的第二柱，其中该调节区域在第二柱的垂直方向上形成并且直接毗邻该第二柱。

13.根据权利要求1所述的栅控二极管，还包括：

第一电极层，其通过接触结构与源极区域、基极区域和栅电极电连接；

电介质层，其毗邻该第一表面并且分离该第一电极层和该漏极区域；以及

第二电极层，其直接毗邻第二表面。

14.根据权利要求13所述的栅控二极管，还包括：

基底，其适于压装到二极管载板的开口中并且包括具有第一平坦表面的底座部分；

带头部引线，其包括具有第二平坦表面的头部以及引线部；并且其中

该第一电极层被焊接到第一和第二平坦表面其中之一，并且第二电极层被焊接到第一和第二平坦表面其中另一个。

15.一种电池充电组件，其包括布置在用于输入交流电压的输入端子和用于输出经整流电池充电电压的输出端子之间的负载路径中的栅控二极管。

16.根据权利要求15所述的电池充电组件，其中该栅控二极管包括半导体管芯，该半导体管芯包括第一导电类型的源极区域和漏极区域以及第二导电类型的基极区域，该第二导电类型与第一导电类型相反，该基极区域被提供在源极和漏极区域之间且分离源极和漏极区域，并且源极区域、本体区域和栅电极彼此电连接。