[实用新型]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320306425.6 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN203259747U | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 崔贤植;李会;徐智强;严允晟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
液晶显示器因其质量轻、功耗低,辐射小、能大量节省空间等优点,现已取代传统的阴极射线管显示器,广泛应用于各个显示领域,如家庭、公共场所、办公场及个人电子相关产品等。
现有液晶面板的制作工艺都是单独制造阵列(Array)基板和彩膜(Color Filter)基板,然后再将阵列基板和彩膜基板进行对位、成盒(Cell)。但在阵列基板与彩膜基板对位成盒时,由于对位精度的限制,极易出现对位偏差,而对位偏差又会导致漏光、透过率降低等不良;如果将黑矩阵做的足够宽来避免这些问题,又会损失面板的透过率,增加背光成本。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及显示装置,可降低阵列基板与彩膜基板对位偏差对透过率的影响,避免对位偏差导致的漏光。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
一种阵列基板,包括:基板,形成于所述基板上的多个像素和分隔所述像素的黑矩阵;
对应所述黑矩阵所在区域,所述基板上设置有栅极、栅绝缘层、半导体层、源电极和漏电极;
所述像素的对应区域设置有用于产生电场以驱动液晶的第一电极和第二电极,所述第二电极设置在所述第一电极的上方,其特征在于,还包括:
图案化的色阻层,
所述色阻层设置在所述栅绝缘层与所述第二电极所在层之间,并且分布在所述像素的对应区域。
优选地,所述色阻层设置在所述源电极和漏电极所在层的上方,且位于所述第一电极所在层的下方。
可选地,所述色阻层设置在所述第一电极之上,且位于所述第二电极的下方。
进一步地,所述黑矩阵设置在所述源电极和漏电极所在层之上,并且覆盖薄膜晶体管对应区域,所述薄膜晶体管由所述栅极、栅绝缘层、半导体层、源电极和漏电极构成。
更进一步地,所述阵列基板,还包括:
树脂层,覆盖在所述黑矩阵及所述第一电极上;
钝化层,覆盖在所述树脂层上。
优选地,所述第二电极为狭缝状透明电极,且设置在所述钝化层上。
可选地,所述色阻层包括若干基色色块,所述像素包括若干亚像素,每一所述基色色块分布在一所述亚像素的对应区域;
所述阵列基板还包括:与所述源电极和漏电极位于同一层的数据线,
所述数据线的位置对应于所述色阻层中任意两个基色色块的相邻区域。
优选地,还包括:与所述栅极同层设置的栅线,
所述栅线设置在所述黑矩阵的遮挡位置。
本实用新型还提供一种显示装置,包括所述的任一阵列基板。
本实用新型提供的阵列基板及显示装置,将原本位于彩膜基板的色阻层设置在阵列基板上,从而降低了阵列基板与彩膜基板对位偏差对透过率的影响,降低了漏光不良发生的机率。
附图说明
图1为本实用新型实施例一提供的阵列基板的结构示意图一;
图2为一种现有ADS阵列基板的结构示意图;
图3为本实用新型实施例一提供的阵列基板的结构示意图二;
图4为本实用新型实施例三提供的阵列基板的制造方法流程图;
图5为本实用新型实施例三中阵列基板的制造过程示意图。
附图标记说明
10-基板,11-栅极,12-栅绝缘层,13-半导体层,14-源电极和漏电极,
142-数据线,15-黑矩阵,16-色阻层,17-像素电极,18-树脂层,
19-钝化层,20-公共电极,21-公共电极线,30-像素。
具体实施方式
本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示装置,可降低阵列基板与彩膜基板对位偏差对透过率的影响,避免因此导致的漏光不良。
下面结合附图对本实用新型实施例进行详细描述。此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
实施例一
本实用新型实施例提供一种阵列基板,该阵列基板包括:基板,形成于所述基板上的多个像素和分隔所述像素的黑矩阵;
对应所述黑矩阵所在区域,所述基板上设置有栅极、栅绝缘层、半导体层、源电极和漏电极;
所述像素的对应区域设置有用于产生电场以驱动液晶的第一电极和第二电极,所述第二电极设置在所述第一电极的上方,还包括:
图案化的色阻层,
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