[实用新型]一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种槽型联栅晶体管，具体为一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管。

背景技术

功率器件是现代电力电子行业的核心器件。半导体新能源技术以及国家节能降耗政策均离不开功率器件的支持，如MOSFET以及基于MOSFET发展起来的IGBT等，而槽型联栅型晶体管则是一种新型的功率器件，槽型联栅晶体管同时具有MOSFET和BJT的优点，其主要特点为：动态损耗小，开关速度快，二次击穿耐压高，功率容量和安全工作区大；具有负的温度系数，热稳定性好，抗冲击能力和抗高频辐射能力强。

如图1所示，在实际应用到电子整流器时中为了钳位集电极电压（集电极电压会突然变负），保证集电极安全，需要在集电极引出层1和发射极引出层7之间外接一个二极管，这样就增加了用户的成本。

实用新型内容

本实用新型所解决的技术问题在于提供一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管，以解决上述背景技术中提出的问题。

本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：

一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管，包括集电极引出层、N+衬底层、N+导电层、N-导电层、U型槽、氧化层以及发射极引出层，所述集电极引出层、N+衬底层、N+导电层、N-导电层依次相连、所述N-导电层上设有U型槽，所述U型槽内注有B形成P+扩散层，所述N-导电层、U型槽上设有氧化层，氧化层上设有发射极引出层，所述U型槽还同发射极引出层相连。

本实用新型在集电极C和发射极E之间形成一个P+N-的二极管，此二极管的击穿电压可达450V以上。且只是利用了PAD区域，不增加任何成本。

有益效果：

与传统技术相比，本实用新型为终端客户节约了成本，并同时增加了器件集成度，简化了应用电路。

附图说明

图1为背景技术的结构示意图；

图2为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的实现技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

如图2所示，一种CE间集成二极管的改进型槽型联栅晶体管，包括集电极引出层1、N+衬底层2、N+导电层3、N-导电层4、U型槽5、氧化层6以及发射极引出层7，所述集电极引出层1、N+衬底层2、N+导电层3、N-导电层4依次相连、所述N-导电层4上设有U型槽5，所述U型槽5内注有B形成P+扩散层，所述N-导电层4、U型槽5上设有氧化层6，氧化层6上设有发射极引出层7，所述U型槽5还同发射极引出层7相连。

本实用新型在不增加芯片面积和工艺复杂度以及工艺成本的情况下替换掉GAT管子应用电路中集电极C和发射极E之间必不可少的钳位保护二极管，为终端客户节约了成本，并且同时没有增加芯片的制作成本，增加了器件集成度，简化了应用电路。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。