[实用新型]一种基于FPGA的USB存储设备数据自动拷贝装置有效

专利信息
申请号: 201320241022.8 申请日: 2013-05-07
公开(公告)号: CN203366318U 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 陈益新 申请(专利权)人: 陈益新
主分类号: G06F13/38 分类号: G06F13/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 314500 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 fpga usb 存储 设备 数据 自动 拷贝 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于数据传输技术领域,涉及一种基于FPGA(Field Programmable Gate Array)的USB存储设备数据自动拷贝装置。 

背景技术  

随着计算机硬件飞速发展,外围数据存储设备日益增多,USB这种使计算机周边存储设备连接的标准化、单一化的接口技术得到了广泛应用。

目前,实现两个USB存储设备之间的数据传输的方式主要是两个USB存储设备分别与计算机连接,利用计算机作为两个USB存储设备之间的数据传输的媒介。这种方式对于日常生活、教学等情况下是可以被接受的。但是在传输数据量大、速度要求高、需重复操作等要求较高的情况下,利用计算机作为数据传输媒介的方式显然无法达到要求。并且,计算机较大的体积也限制了其使用范围。 

用单片机和USB芯片作为两个USB存储设备数据传输的媒介的方式在一些场合得到了应用。但是,单片机性能方面的固有属性使得该传输方式的速度很难达到要求,抗干扰能力也比较差。从而限制了该传输方式的应用和推广。 

综上可知,现有的实现两个USB存储设备间数据传输的方式在现实使用中存在缺陷和不足,因而有必要进行改善。 

发明内容

本实用新型针对现有USB存储设备数据传输方式无法满足实际应用等不足,提供了一种基于FPGA的USB存储设备数据自动拷贝装置。 

本实用新型解决技术问题所采取的技术方案为: 

一种基于FPGA的USB存储设备数据自动拷贝装置,其特征在于:数据读USB转接芯片、数据读USB存储设备、SRAM通过外围电路与FPGA连接,所述数据写USB转接芯片、数据写USB存储设备通过外围电路与FPGA连接;数据读USB存储设备、数据读USB转接芯片、SRAM和FPGA构成数据读模块;数据写USB存储设备、数据写USB转接芯片和FPGA构成数据写模块。

本实用新型所具有的优点为:采用基于FPGA的USB存储设备数据自动拷贝装置能在两个USB存储设备之间实现高速、批量化的数据传输。本实用新型数据传输速度快,抗干扰能力强,结构简单,占用的空间小,成本低,大大增强了该装置的实用性。 

附图说明

图1为本实用新型的系统结构框图,图2为本实用新型中USB转接芯片的内部结构图。 

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进一步描述。 

如图1所示,一种基于FPGA的USB存储设备数据自动拷贝装置包括FPGA(1)、数据写USB转接芯片(2)、数据写USB存储设备(3)、SRAM(4)、数据读USB存储设备(5)和数据读USB转接芯片(6)。 

数据读USB转接芯片(6)、数据读USB存储设备(5)、SRAM(4)通过外围电路与FPGA(1)连接,数据写USB转接芯片(2)、数据写USB存储设备(3)通过外围电路与FPGA(1)连接;数据读USB存储设备(5)、数据读USB转接芯片(6)、SRAM(4)和FPGA(1)构成数据读模块;数据写USB存储设备(3)、数据写USB转接芯片(2)和FPGA(1)构成数据写模块。 

本实用新型的数据传输流程为:数据读USB存储设备(5)经USB转接芯片(6)由FPGA(Field Programmable Gate Array,现场可编程门阵列)(1)缓存至SRAM(4),当SRAM(4) 存储到一定数量后产生信号标志位通知数据写USB转接芯片(2)将数据送出,并由FPGA(1) 写入数据写USB数据存储设备(3)中。重复以上步骤可实现两个USB数据存储设备间告诉数据传输。 

所述数据读USB存储设备中的数据由所述数据读USB转接芯片通过所述FPGA缓冲至所述SRAM中,当所述SRAM存储到一定数量后产生信号标志位通知所述FPGA,所述FPGA发出指令将数据由数据写USB转接芯片将数据写入数据写USB存储设备中,重复以上步骤实现两个USB存储设备间的数据拷贝。 

FPGA (1)对于两片SRAM(4) 的读写采用乒乓方式,保证数据读写不冲突。同时FPGA(1) 及其外围电路尺寸小,设计紧凑,使得其占用的空间小。 

数据写USB转接芯片(2)和数据读USB转接芯片(6)选用的是CY7C68013A芯片。其拥有GPIF接口、增强型8051主控制器、16k内部存储器等,满足高速数据读写的要求,内部结构如图2所示。 

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