[实用新型]一种射频可调衰减器

说明书

技术领域

本实用新型涉及射频衰减器，尤其涉及一种射频可调衰减器。

背景技术

由于现在市面上的射频衰减器芯片最大能承受的输入功率都小于0.1瓦，但是现在很多产品需要用到输入功率大于0.1W甚至大于10W的射频衰减器，而目前低增益、大功率输入、大功率输出的功率放大器，例如塔顶放大器中的下行功率放大器，基本使用以微波断电器为主的微波衰减器，由于微波衰减器占用的体积过大、成本过高，进一步造成了功率放大器的体积过大、成本过高，同时增加了整机工艺设计的难度。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种射频可调衰减器，实现可衰减或不衰减的射频信号。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种射频可调衰减器，包括：

控制电路，具有第一输出端和第二输出端；

第一射频开关，具有第一端口和第二端口，通过所述第一端口与所述控制电路的第一输出端连接，通过所述第二端口与所述控制电路的第二输出端连接；

第二射频开关，具有第三端口和第四端口，通过所述第三端口与所述控制电路的第一输出端连接，通过所述第四端口与所述控制电路的第二输出端连接；

隔直耦合电容，连接在所述第一射频开关和所述第二射频开关之间的第一通道上；

衰减片，连接在所述第一射频开关和所述第二射频开关之间的第二通道上；

所述第一通道在所述控制电路的第一输出端的输出信号的控制下导通；

所述第二通道在所述控制电路的第二输出端的输出信号的控制下导通。

其中，优选地，所述控制电路包括：

转换器，用于将串行信号指令转换为并行电平信号；

比较器，用于将所述并行电平信号转换为目标电压，与所述转换器连接；

反相器，具有所述第一输出端和所述第二输出端，根据所述目标电压生成第一电平或第二电平，其中所述第一电平为所述第一输出端的输出信号，所述第二电平为所述第二输出端的输出信号，所述反相器与所述比较器连接。

其中，优选地，所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平；或

所述第一电平为低电平，所述第二电平为高电平。

其中，优选地，所述控制电路还包括：

信号锁存器，用于稳定所述并行电平信号，与所述转换器连接；

所述比较器具体为将稳定后的所述并行电平信号转换为所述目标电压。

其中，优选地，通过脉冲信号控制所述信号锁存器的工作状态。

其中，优选地，所述比较器包括：

外围电路，用于提供基准电压；

运算放大器，用于将所述基准电压与所述并行电平信号比较，得到所述目标电压，所述运算放大器的反相端与所述外围电路连接，所述运算放大器的同相端与所述转换器连接，所述运算放大器的输出端与所述反相器连接。

其中，优选地，所述基准电压的电压值不高于稳定后的所述并行电平信号中高电平的值。

本实用新型具有以下有益效果的至少一项：

本实用新型提供的射频可调衰减器，能够实现可衰减或不衰减的射频信号；

本实用新型提供的射频可调衰减器，能够承受大功率输入；

本实用新型提供的射频可调衰减器，射频信号的衰减值可调；

本实用新型提供的射频可调衰减器，利用现有的射频开关体积小、输入功率大、成本低的特点，降低了功率放大器的成本。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种射频可调衰减器的示意图；

图2为本实用新型提供的另一种射频可调衰减器的示意图；

图3为本实用新型提供的再一种射频可调衰减器的示意图；

图4为本实用新型提供的第四种射频可调衰减器的示意图；

其中：

1是一个串并转换芯片；

2是一个八组输出的锁存器；

3、4（是一个双运算放大器集成IC，最高工作电压为12.6V；

5是一个六组输出的反相器，工作电压范转为+3V～+15V之间；

6、7、8、9是射频开关，当VDD=8V时，最大可承受输入功率达到十瓦，同时控制信号电平的电压值等于VDD±0.2V时芯片才能正常工作，所以要求反相器供给的控制信号达到8±0.2V；

10、13是大功率衰减片；

11、12是大功率隔直耦合电容。

具体实施方式

为使本实用新型实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。