[实用新型]光电传感器有效
申请号: | 201320213111.1 | 申请日: | 2013-04-24 |
公开(公告)号: | CN203274765U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 今井清司;宫田毅;中岛淳;大槻一也;宫下诚司 | 申请(专利权)人: | 欧姆龙株式会社 |
主分类号: | G01D5/26 | 分类号: | G01D5/26 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光电传感器。
背景技术
现有的光电传感器中,有包括发光元件、受光元件和外壳的传感器。外壳具有发光罩部、受光罩部、检测槽。通过将检测对象插入检测槽进行检测。但是这些光电传感器中,没有表示应插入深度的标记,无法稳定可靠地进行检测。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种可靠性高且能够降易于使用的光电传感器。
本实用新型一个方面的光电传感器包括:传感器电路组件,包含相互相向配置的发光元件和受光元件;电缆,包含多条电线;支架,支撑所述传感器电路组件和所述电缆;以及主体外壳,容纳所述传感器电路组件和所述支架,其中,所述主体外壳,具有容纳所述发光元件的发光罩部、容纳所述受光元件的受光罩部、位于所述发光罩部与所述受光罩部之间的检测槽,所述主体外壳具有检测深度标记,所述检测深度标记表示对检测对象进行检测时,需要将检测对象插入所述检测槽内的检测深度。
并且,优选所述光电传感器还包括:配置在所述主体外壳与所述传感器电路组件之间的辅助壳,所述发光罩部具有至少从与所述发光元件相向的位置延伸至到达所述检测槽底部位置的发光狭缝,所述受光罩部具有至少从与所述受光元件相向的位置延伸至到达检测槽底部位置的受光狭缝,所述辅助壳具有被插入所述发光狭缝内的发光窗部和被插入所述受光狭缝内的受光窗部。
进一步,优选所述主体外壳还包括:表示所述受光元件及所述发光元件位置的元件位置标记,所述元件位置标记分别配置在相当于所述发光透镜部的中心位置与所述受光透镜部的中心位置的位置。
进一步,优选所述检测深度标记和/或所述元件位置标记是标在所述主体外壳上的记号。
进一步,优选所述元件位置标记分别标在所述发光罩部的前面与所述受光罩部的前面,所述检测深度标记分别标在所述发光罩部的前面与所述受光罩部的前面。
进一步,优选所述元件位置标记为三角形记号,所述检测深度标记为棒状记号。
进一步,优选所述受光罩部与所述发光罩部上分别设置有花纹,所述花纹的上边界或下边界相当于所述检测深度标记。
进一步,优选所述花纹是朝上下方向延伸且朝左右方向并列配置的直线、朝左右方向延伸且朝上下方向并列配置的直线、网状花纹或不同颜色的部分。
实用新型的效果
本实用新型提供一种可靠性高且能够降易于使用的光电传感器。
附图说明
图1为光电传感器的立体图。
图2为光电传感器的各部件分解立体图。
图3为传感器主体的立体图。
图4为传感器主体的主视图。
图5为传感器主体的侧视图。
图6为连接端子的放大图。
图7为支架的立体图。
图8为表示支架、传感器主体与电缆的立体图。
图9为支架的俯视图。
图10为支架的主视图。
图11为第一电线保持部的放大图。
图12为支架的侧视图。
图13为图12中的XIII-XIII截面图。
图14为连接端子与第一端子容纳部的放大图。
图15为图9中的XV-XV截面图。
图16为支架的仰视图。
图17为主体外壳的立体图。
图18为辅助壳的立体图。
图19的(A)~(C)为传感器主体的制造工艺示意图。
图20为光电传感器的组装工艺示意图。
图21为光电传感器的组装工艺示意图。
图22为光电传感器的组装工艺示意图。
图23为其他实施方式所涉及的连接端子的示意图。
图24的(A)、(B)为其他实施方式所涉及的发光透镜部和受光透镜部的示意图。
图25的(A)为涉及其他实施例的检测深度标记示意图。
图25的(B)为涉及其他实施例的检测深度标记示意图。
图25的(C)为涉及其他实施例的检测深度标记示意图。
图25的(D)为涉及其他实施例的检测深度标记示意图。
图25的(E)为涉及其他实施例的检测深度标记示意图。
图25的(F)为涉及其他实施例的检测深度标记示意图。
图25的(G)为涉及其他实施例的检测深度标记示意图。
图25的(H)为涉及其他实施例的检测深度标记示意图。
具体实施方式
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