[实用新型]一次性可编程存储器和含一次性可编程存储器的集成电路有效

专利信息
申请号: 201320211209.3 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN203325475U 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: J·赫拉米克;J·W·霍尔;P·伦达克 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金晓
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 一次性 可编程 存储器 集成电路
【说明书】:

技术领域

本公开通常涉及一次性可编程存储器,且更具体而言,涉及用于一次性可编程的存储器的编程电路。 

背景技术

一次性可编程(OTP)存储器通常包括一组OTP存储器单元。具有基于熔丝的单元的OTP存储器可以通过熔烧该组熔丝的选定熔丝来进行编程。然后,一个或多个感测电路能够读取OTP存储器中的已熔断熔丝和未烧录熔丝的组合,以便存储期望的数据模式。基于熔丝的OTP存储器的一个应用是使用存储的数据模式来选择集成电路的可选功能性。以此方式,可以将相同的集成电路晶片用于多种应用中。利用OTP存储器的行业的一个实例是汽车行业。 

在亚微米集成半导体技术中,通常使用硅化多晶硅电阻器作为熔丝。诸如此类的熔丝通常通过在熔丝两端施加固定电压持续预定义时间期间来进行编程。固定施加的电压通过熔丝驱动编程电流,使得熔丝内的硅化物迁移以及导致相对于初始电阻增加的电阻。因为存储器中的每个熔丝的特征由于正常工艺变化而不同,并且因为必要性而将每个存储器单元差异性地连接到外部电路,所以它们对编程刺激差异性地予以响应。因此,利用固定刺激的编程导致编程之后电阻的相对宽泛的分布。实际上,如果编程时间太长,那么一些OTP存储器单元的编程可能失效,从而使得熔丝错误地被读取为未烧录。如果编程时间太短,那么一些熔丝的编程可能失效,从而导致某种错误结果。 由此,因为OTP存储器单元的不正确编程可能太频繁地出现,所以OTP存储器常常需要多个冗余OTP存储器单元,从而对装置增加不必要的成本。更重要的是,以此方式的编程可导致不期望的可靠性问题。难以确定将工艺、电压和温度的所有合理变化纳入考虑的可接受预定义编程时间。 

实用新型内容

为了解决上述及其问题,根据本实用新型的一方面,提供了一种一次性可编程存储器,其特征在于包括:包括单元的一次性可编程存储器单元,其包括:熔丝芯,其具有用于接收修正信号的输入端和用于提供感测信号的输出端,其中所述熔丝芯具有熔丝并响应于所述修正信号而传导电流通过所述熔丝;感测电路,其具有耦合到所述熔丝芯的输出端的输入端和用于响应于所述感测信号中的转变而提供终止信号的输出端;以及逻辑电路,其具有用于接收程序使能信号的第一输入端、用于接收数据信号的第二输入端、耦合到所述感测电路的输出端以用于接收所述终止信号的第三输入端和耦合到所述熔丝芯的输入端以用于提供所述修正信号的输出端。 

通过上述方案,例如但不限于,可以提供一种能够用于在宽范围的编程温度上还对存储器单元进行编程的鲁棒性的解决方案。 

附图说明

图1以局部框图和局部示意图形式图示用于对熔丝编程的电路。 

图2A和2B图示有助于理解图1的电路的时序图。 

图3以框图形式图示根据本实用新型的实施方案的用于对熔丝编程的一次性可编程存储器单元。 

图4以局部框图和局部示意图形式图示图3的一次性可编程存储 器单元的实现。 

图5以示意图形式图示包括开关电流源的图3和图4的熔丝芯的实施方案。 

图6以示意图形式图示包括另一个开关电流源的图3和图4的熔丝芯的第二实施方案。 

图7图示有助于理解图3和图4的一次性可编程存储器单元的操作的时序图。 

图8以局部框图和局部示意图形式图示图3和图4的逻辑电路的实施方案。 

图9以局部框图和局部示意图形式图示图3和图4的逻辑电路的第二实施方案。 

图10图示具有一次性可编程存储器的集成电路的框图,该一次性可编程存储器包括使用根据本文描述的原理构造的多个一次性可编程存储器单元。 

在下文描述中,不同附图中使用相同的引用号来指示相似或完全相同的项。 

具体实施方式

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