[实用新型]一种基于磁电阻技术检测磁性图形表面磁场的磁头

权利要求书

1. 一种基于磁电阻技术检测磁性图形表面磁场的磁头，包括支架和设置于支架上的PCB板，其特征在于，还包括水平励磁结构，其用于产生一个平行于磁头表面的磁场；和基于磁电阻MR元件的磁场检测部件，其用于检测磁性图形表面漏磁场的垂直分量的分布情况。

2.如权利要求1所述的一种基于磁电阻技术检测磁性图形表面磁场的磁头，其特征在于，所述水平励磁结构为前后两块水平磁化的永磁体沿着磁化方向放置在所述磁场检测部件的前后位置。

3.如权利要求1所述的一种基于磁电阻技术检测磁性图形表面磁场的磁头，其特征在于，所述水平励磁结构为前后两块垂直磁化的永磁体沿着磁化方向的垂直方向反向放置在所述磁场检测部件的前后的对称位置。

4.如权利要求1所述的一种基于磁电阻技术检测磁性图形表面磁场的磁头，其特征在于，所述水平励磁结构为一块水平磁化的永磁体放置在所述磁场检测部件的前端/后端，另一块软磁材料块体放置在所述磁场检测部件的后端/前端位置。

5.如权利要求1至4任一项所述的一种基于磁电阻技术检测磁性图形表面磁场的磁头，其特征在于，所述磁场检测部件为由多个磁电阻MR元件组成的惠斯通桥式结构。

6.如权利要求5所述的一种基于磁电阻技术检测磁性图形表面磁场的磁头，其特征在于，所述惠斯通桥式结构为惠斯通全桥结构或惠斯通半桥结构。

7.如权利要求6所述的一种基于磁电阻技术检测磁性图形表面磁场的磁头，其特征在于，所述惠斯通桥式结构为惠斯通全桥结构时，其中的两个磁电阻MR元件靠近磁头的表面，另外两个磁电阻MR元件远离磁头的表面；所述惠斯通桥式结构为惠斯通半桥结构时，其中的一个磁电阻MR元件靠近磁头的表面，另外一个磁电阻MR元件远离磁头的表面。

8.如权利要求7所述的一种基于磁电阻技术检测磁性图形表面磁场的磁头，其特征在于，所述磁电阻MR元件的敏感方向一致垂直于磁头的表面。

9.如权利要求8所述的一种基于磁电阻技术检测磁性图形表面磁场的磁头，其特征在于，所述磁电阻MR元件至少为各向异性磁电阻AMR元件或巨磁阻GMR元件或隧穿磁电阻TMR元件中的一种。