[实用新型]一种光伏建筑一体化产品有效
申请号: | 201320182621.7 | 申请日: | 2013-04-11 |
公开(公告)号: | CN203232875U | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 金琳虎;王华磊;柴士磊;胡居涛;庄春泉 | 申请(专利权)人: | 江苏武进汉能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 徐琳淞 |
地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 建筑 一体化 产品 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光伏建筑一体化产品。
背景技术
目前采用薄膜太阳能电池制备光伏建筑一体化产品,其中有一种方法是背电极采用镀AZO(AZO是铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃的简称)膜层,达到导电和透光的效果。为了保证较好的导电性和透光性,该方法需要增加AZO膜厚来降低阻值,由此带来的影响是:增加了制程时间,并且电阻过大。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有较好的透光性和导电性,并且AZO也能得到控制的光伏建筑一体化产品。
为了解决上述技术问题,本实用新型所提供的技术方案是:一种光伏建筑一体化产品,包括平面透明衬底、透明导电层、发电层、背电极层、保护层和背板层;所述透明导电层镀在平面透明衬底上,透明导电层刻有第一绝缘槽;所述发电层镀在透明导电层上,发电层上刻有第二绝缘槽;所述背电极层包括镀在发电层上的第一AZO膜层、镀在第一AZO膜层上的导电金属层、以及镀在导电金属层上的第二AZO膜层;所述发电层和背电极层上蚀刻有上下连通的激光线槽;所述保护层封装在第二AZO膜层上;所述背板层封装在保护层上。
所述背电极层的第一AZO膜层的厚度为70至80nm。
所述背电极层的导电金属层采用铝或银的厚度为10至20nm。
所述背电极层的第二AZO膜层的厚度为60至100nm。
采用了上述技术方案后,本实用新型具有以下的有益效果:(1)本实用新型的背电极层的第一AZO膜层控制膜厚,并保证主要波长未被吸收的光发生全反射,从而保证光电转换效率;背电极导电金属层采用铝或银,厚度为10至20nm,保证导电率同时确保透光性;第二AZO膜层起到保护导电金属层的作用,同时保证透光率;因此,本实用新型在保证透光性的同时,还能保证较好的导电性,同时AZO膜厚也得到了控制,制程时间短,串联电阻不会过大。
(2)本实用新型的背电极层的第一AZO膜层的厚度为70至80nm,该厚度能保证良好的光的全反射性能。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中
图1为本实用新型的结构示意图。
附图中的标号为:
平面透明衬底1、透明导电层2、第一绝缘槽21、发电层3、第二绝缘槽31、背电极层4、第一AZO膜层41、导电金属层42、第二AZO膜层43、激光线槽3-4、保护层5、背板层6。
具体实施方式
(实施例1)
见图1,本实施例的光伏建筑一体化产品,包括平面透明衬底1、透明导电层2、发电层3、背电极层4、保护层5和背板层6。
透明导电层2镀在平面透明衬底1上,透明导电层2刻有第一绝缘槽21。发电层3镀在透明导电层2上,发电层3上刻有第二绝缘槽31。背电极层4包括镀在发电层3上的第一AZO膜层41、镀在第一AZO膜层41上的导电金属层42、以及镀在导电金属层42上的第二AZO膜层43。背电极层4的第一AZO膜层41的厚度为70至80nm。背电极层4的导电金属层42采用铝或银的厚度为10至20nm。背电极层4的第二AZO膜层43的厚度为60至100nm。发电层3和背电极层4上蚀刻有上下连通的激光线槽3-4。保护层5封装在第二AZO膜层43上。背板层6封装在保护层5上。
第一AZO膜层41控制膜厚,并保证未被吸收的光全部反射,从而保证光电转换效率。第二AZO膜层43起到保护导电金属层42的作用,同时保证透光率。在保证透光性的同时,还能保证较好的导电性,同时AZO膜厚也得到了控制,制程时间短,串联-电阻不会过大。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的