[实用新型]一种晶体硅太阳能电池片的正面电极结构有效
申请号: | 201320177106.X | 申请日: | 2013-04-10 |
公开(公告)号: | CN203150567U | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 杨智;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋;陆金星 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 正面 电极 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种晶体硅太阳能电池片的正面电极结构,属于太阳能领域。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽,在所有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前,在所有的太阳能电池中,晶体硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一,这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量,同时晶体硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能,因此,晶体硅太阳能电池在光伏领域占据着重要的地位。
传统的晶体硅太阳电池的核心组件是电池片,现有的电池片的正面电极结构主要包括相互平行的2~4条主栅线,以及多条与主栅线相垂直的副栅线。现有的这些主栅线和副栅线均是直线段结构。这个栅线一般均是采用导电银浆构成,其与硅片形成欧姆接触。
然而,随着太阳能市场的快速增大,导电银浆的耗量和价格也随之上升,这给企业的生产带来了很大的成本压力。
另一方面,现有技术中出现了利用透明导电膜(如ITO透明导电膜)代替受光面上的电极,兼顾了透光与电流收集,然而,由于透明导电膜需要和电池片电连接,因此上述正面电极结构仍旧需要。因此,如何在保证透明导电膜和电池片良好电连接的同时,进一步降低导电银浆的消耗,成了摆在技术员面前的现实问题。
发明内容
本实用新型目的是提供一种晶体硅太阳能电池片的正面电极结构。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种晶体硅太阳能电池片的正面电极结构,包括主栅线和复数条副栅线,主栅线和副栅线相垂直设置,所述各条副栅线均为由复数个间断点构成的点阵线结构。
上文中,所述副栅线由复数个间断点构成的点阵线结构,即将现有的直线段结构的副栅线变成一个一个点,由复数个点构成一条副栅线。从而大大节约了银浆用量。
上述技术方案中,所述主栅线上设有至少1个镂空段。即对于每一条主栅线而言,在其原来的线段上设置多个镂空段,以进一步减少银浆用量。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有的优点是:
1、本实用新型设计得到了一种新的晶体硅太阳能电池片的正面电极结构,将现有的直线段结构的副栅线变成一个一个点,由复数个点构成一条副栅线,从而大大节约了银浆用量,降低了生产成本。
2、本实用新型结构简单,便于制备,且具有良好的可操作性、实用性,适于推广应用。
附图说明
图1是本实用新型实施例一的结构示意图;
图2是本实用新型实施例二的结构示意图;
图3是本实用新型实施例三的结构示意图;
图4是本实用新型实施例四的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例一
参见图1所示,一种晶体硅太阳能电池片的正面电极结构,包括3条主栅线和复数条副栅线,主栅线和副栅线相垂直设置,所述各条副栅线均为由复数个间断点构成的点阵线结构。
上文中,所述副栅线由复数个间断点构成的点阵线结构,即将现有的直线段结构的副栅线变成一个一个点,由复数个点构成一条副栅线。从而大大节约了银浆用量。
实施例二
参见图2所示,一种晶体硅太阳能电池片的正面电极结构,包括3条主栅线和复数条副栅线,主栅线和副栅线相垂直设置,所述各条副栅线均为由复数个间断点构成的点阵线结构。
上文中,所述副栅线由复数个间断点构成的点阵线结构,即将现有的直线段结构的副栅线变成一个一个点,由复数个点构成一条副栅线。从而大大节约了银浆用量。
所述各条主栅线上设有5个镂空段。这些镂空段可大可小,根据实际情况设置。即对于每一条主栅线而言,在其原来的线段上设置多个镂空段,以进一步减少银浆用量。
实施例三
参见图3所示,一种晶体硅太阳能电池片的正面电极结构,包括4条主栅线和复数条副栅线,主栅线和副栅线相垂直设置,所述各条副栅线均为由复数个间断点构成的点阵线结构。
上文中,所述副栅线由复数个间断点构成的点阵线结构,即将现有的直线段结构的副栅线变成一个一个点,由复数个点构成一条副栅线。从而大大节约了银浆用量。
实施例四
参见图4所示,一种晶体硅太阳能电池片的正面电极结构,包括4条主栅线和复数条副栅线,主栅线和副栅线相垂直设置,所述各条副栅线均为由复数个间断点构成的点阵线结构。
上文中,所述副栅线由复数个间断点构成的点阵线结构,即将现有的直线段结构的副栅线变成一个一个点,由复数个点构成一条副栅线。从而大大节约了银浆用量。
所述各条主栅线上设有5个镂空段。这些镂空段可大可小,根据实际情况设置。即对于每一条主栅线而言,在其原来的线段上设置多个镂空段,以进一步减少银浆用量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的