[实用新型]一种晶体硅太阳能电池正面主栅线结构有效
申请号: | 201320168412.7 | 申请日: | 2013-04-07 |
公开(公告)号: | CN203339173U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 吕俊;刘磊;王继磊;邱凯坤;张继远;党王娟;李艳梅;张永红;王艾华;赵建华 | 申请(专利权)人: | 中电电气(南京)光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 211100 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 正面 主栅线 结构 | ||
1.晶体硅太阳能电池正面主栅线结构,其特征是在晶体硅太阳能电池的主栅线区域中设有均匀分布垂直于主栅线的平行的非印刷浆料条,平行非印刷浆料条是单条或多个分立的非印刷浆料区域构成。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池正面主栅线结构,其特征是所述单条平行非印刷浆料条是矩形、圆角矩形或椭圆。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池正面主栅线结构,其特征是所述非印刷浆料条为分立的非印刷浆料区域,分立的非印刷浆料区域为密闭区域,所述密闭区域区域呈垂直于主栅线的位置平行均匀分布;每个密闭区域为矩形、圆形、椭圆型、多边形或多弧线构成的封闭形中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的