[实用新型]一种单芯片功率放大器有效
| 申请号： | 201320165269.6 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN203135799U | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 管玉静;袁野;黄枭祺 | 申请（专利权）人： | 成都雷电微力科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 王芸;熊晓果 |
| 地址： | 610041 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 功率放大器 | ||
1.一种单芯片功率放大器，其在单芯片上集成有输入匹配电路，输入匹配电路的输入端连接外部信号输入源，其输出端顺次级联四级晶体管放大器、输出匹配及功率合成电路后向外输出，其特征在于：所述四级晶体管放大器包括第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器、第四级晶体管放大器，各级晶体管放大器通过匹配电路依次级联，各级晶体管放大器分别包括三极管、三级滤波电路，所述三极管的集电极和基极通过三级滤波电路与供电端连接，所述第一级和第二级晶体管放大器分别包括一个三极管，第三级晶体管放大器包括两个并联的三极管，第四级晶体管放大器包括四个并联的三极管。
2.根据权利要求1所述的单芯片功率放大器，其特征在于：所述各级晶体管放大器中并联三极管的基极之间连接有电阻，集电极之间也连接有电阻。
3.根据权利要求2所述的单芯片功率放大器，其特征在于：所述第三级晶体管放大器中两个并联三极管的基极之间连接有电阻，集电极之间也连接有电阻；第四级晶体管放大器中四个并联三极管的基极之间连接有电阻，集电极之间也连接有电阻。
4.根据权利要求2或3所述的单芯片功率放大器，其特征在于：所述电阻为奇模电阻。
5.根据权利要求1所述的单芯片功率放大器，其特征在于：所述第二级、第三级、第四级晶体管放大器之间的匹配电路为一体化的功分及匹配电路。
6.根据权利要求1所述的单芯片功率放大器，其特征在于：所述四级晶体管放大器为四级pHEMT晶体管放大器。
7.根据权利要求1所述的单芯片功率放大器，其特征在于：所述三级滤波电路为三级RC滤波电路。
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