[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，已经逐渐取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中，TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。

其中，ADS（ADvanced Super Dimension Switch，ADSDS，高级超维场转换技术，简称ADS）型TFT-LCD由于具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点，广泛应用于液晶显示器领域。ADS型TFT-LCD通过同一平面内狭缝状电极边缘所产生的电场以及狭缝状电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝状电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率，进而提高了TFT-LCD产品的画面品质。

为了提高开口率从而提高显示装置的透过率，出现了一种HADS（High aperture ADS，高开口率-高级超维场转换技术）型TFT-LCD。进一步地，为了缩短像素充电时间以实现低成本、高品质的画面显示，现有的HADS型TFT-LCD的显示面板通常采用双栅驱动方式（Dual Gate），其中的阵列基板包括衬底基板，形成在衬底基板上的栅线、数据线以及均匀排列的多个像素单元，每个像素单元均包括薄膜晶体管（TFT），和用于形成电场的像素电极（Pixel electrode）与公共电极（Com electrode），所述像素电极和公共电极用于驱动该像素单元对应的液晶分子偏转；位于一条数据线两侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管的源极均连接至该数据线（Data line），栅极分别连接至不同的栅线（Gate line），使得每两行相邻的像素单元之间均设置有两条栅线。

现有的HADS型TFT-LCD的像素单元一般为单畴结构（1-Domain），其中，每个像素单元内的像素电极和公共电极之间产生的多维电场的方向一致，故每个像素单元对应的液晶分子的偏转方向也一致。但是，液晶分子在不同视角下的折射率不同，其光程差也不同，导致其透过光波长范围不同，因而造成在不同视角时，液晶分子的色度有差异，也即产生色偏现象。例如，在平行于液晶分子的光轴方向时，透过光波长偏小，产生偏蓝现象（Bluish），在垂直于液晶分子的光轴方向时，透过光波长偏大，产生偏黄现象（Yellowish）。也就是说，由于采用单畴结构，每个像素单元对应的液晶分子的偏转方向均一致，导致液晶面板的整体色偏较为严重。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中所存在的上述缺陷，提供一种既能够补偿色偏，又能够避免漏光的阵列基板及显示装置。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案：

所述阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板上形成有横纵交错的多条栅线和数据线、以及均匀排列的多个像素单元，每个像素单元均包括薄膜晶体管，和用于形成电场的像素电极与公共电极，其中，每个像素单元所述的公共电极与像素电极至少有一个包括弯折的狭缝电极，且在所述狭缝电极的弯折处设置有一栅线，位于数据线两侧相邻的所述像素单元中的薄膜晶体管的源极均连接至同一数据线，栅极分别连接至不同的栅线。

优选地，每个像素单元中的所述狭缝电极的弯折处均位于所述像素单元的中部。

优选地，同一像素单元中的所述狭缝电极的狭缝均平行设置。

优选地，栅线方向上相邻两个像素单元在衬底基板上的位置均错开分布，以使得所述栅线均为直线，且相邻两条栅线之间的距离等于所述像素单元在与栅线垂直的方向上的长度的一半。

优选地，所述栅线方向上相邻两个像素单元中的狭缝电极的狭缝弯折方向相反；与栅线垂直的方向上相邻两个像素单元中的狭缝电极的狭缝弯折方向相同。

优选地，所述阵列基板还包括形成在衬底基板上的公共电极线，每个像素单元中的公共电极均与公共电极线相连；

所述公共电极线与数据线在衬底基板上交替布置且相互平行；

每个像素单元中的像素电极与公共电极均位于一数据线以及与该数据线相邻的一条公共电极线之间。

优选地，与每个像素单元中薄膜晶体管的源极相连的数据线，以及与每个像素单元中的公共电极相连的公共电极线，均与该像素单元中相对应部分的狭缝电极的狭缝平行。