[实用新型]一种新型的压力/差压变送器耐高过载压力装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及压力/差压变送器系列产品，具体说是一种保护压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的新型装置。

背景技术

现有用单晶硅的压阻效应制做的压力/差压变送器采用了单晶硅的压阻转换电信号的检测方式，将作用在硅传感元件正压腔和负压腔的压力变化，使设置在单晶硅表层的桥臂电阻发生变化量，经压力/差压变送器上的低功耗电子电路转换成与被测压力/差压量相对应的4-20mA电流信号及数字显示，由于工业场合使用的压力/差压变送器的测量介质本身的静态压力或过载压力，有可能大大超过单晶硅本身所能承受的压力，造成单晶硅的损坏。因此要提供一种既能真实传导检测介质的压力又要保护压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的新型装置，已成为当务之亟。

发明内容

为了克服现有产品的缺陷，本实用新型的目的是要提出结构简单，使用方便，工作安全和稳定的一种保护压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的新型装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种新型的压力/差压变送器耐高过载压力装置，其特征是：有一个正压腔基座，正压腔基座的侧边设置有负压腔基座，正压腔基座和负压腔基座内端波纹面之间设置有中心膜片，中心膜片与正压腔基座和负压腔基座的内端波纹面外周界锥面固定一起；正压腔基座的上端固定有连接件，正压腔基座伸入至连接件的中间上端设置有硅传感器，硅传感器中心靠下端处设置有硅片；正压腔基座中间设置有上、中上、中、下四个正压腔引压孔；负压腔基座的中间设置有下、中、上三个负压腔引压孔，上负压腔引压孔伸入至正压腔基座中间设置有上端和下端负压腔引压孔，在上端负压腔引压孔与连接件交接处设置有负压腔引压孔，负压腔引压孔还设置有伸入至硅传感器中间的负压腔引压孔；正压腔引压孔和负压腔引压孔中间设置有硅油；正压腔基座和负压腔基座的外端波纹面外固定有隔离膜片；正压腔基座的内端设置有紧定螺钉，紧定螺钉中心上端设置有与正压腔引压孔和负压腔引压孔配合的密封钢球。

所述的正压腔基座与负压腔基座的内端波纹面外周界锥面相互固定，且两基座内与隔离膜片轴向垂直的引压孔方向一致，以及负压腔基座的引压孔出口与负压腔基座的引压孔在正压腔基座上的部分进口一致对准。

所述的正压侧基座与负压侧基座的基座外端波纹面与隔离膜片之间、引压孔内、两基座内端波纹面与中心膜片之间、正压腔基座与硅传感器之间及硅传感器与连接件缝隙形成的腔体内设置有硅油。

本实用新型在正压腔中心及内部设置有正压腔引压孔的基座外端波纹面外固定有隔离膜片；负压腔中心及内部设置有负压腔引压孔的基座外端波纹面外固定有隔离膜片；正压腔基座的上方外周固定有用连接件的连接件；连接件的内部正压腔基座的上方固定有硅传感器；硅传感器上面外周界固定在连接件内。

本实用新型基座、隔离膜片、中心膜片、硅传感器、连接件为金属材料。

本实用新型引压孔、波纹面是由机械加工完成的。

本实用新型固定是由焊接固定的。

本实用新型硅油是经高温、高真空下处理过的硅油灌注的。

本实用新型的有益效果是：由于本实用新型解决了压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的新型结构。当正常待测介质的压力作用于两边隔离膜片上，一边经正压腔基座内的硅油传递到硅传感器内硅片的正压受压面，另一边经负压基腔座内的硅油传递到硅传感器内硅片的负压受压面。当待测介质的压力超出压力/差压变送器正常测量的压力时，正压腔基座、负压腔基座两边的隔离膜片会贴住正压腔基座、负压腔基座中心的引压孔，这样就阻隔了压力的传递，也就实现了压力/差压变送器的硅传感元件免受高过载压力破坏的新型结构。

附图说明

以下结合附图及实施例对本实用新型进行进一步的描述。

图1是本实用新型的俯视结构视图。

图2是本实用新型图1的A-A剖视结构视图。

图3是本实用新型图1的B-B剖视结构视图。

图4是本实用新型图2的C-C剖视结构视图。

图中：1连接件，2、4、5、14、15、16焊道，3硅传感器，6硅片，7、8、9、12正压侧引压孔，10、21隔离膜片，11、20硅油，13压腔基座，17负压腔基座，18中心膜片，19、22、23、24、25、26、27负压腔引压孔，28、30密封钢球，29、31紧定螺钉。

实施例1：