[实用新型]一种激光加工装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体加工装置，尤其是一种激光加工装置。 

背景技术

半导体制造工程完了后的后续工程是为了把晶片上形成的复数的芯片切割成个别芯片单位的工程，用机械切割方法去切割晶片的时通过清洗液不能完全去除副产品并切割速度也慢、切割宽度也很宽等问题出现。特别是，切割成较小尺寸的晶片时，需要调整切割刀片的大小但限于实现较薄的切割刀片。为了解决将晶片用机械方法切割时发生的上述问题，最近研发了利用激光以非接触性切割晶片的技术。激光光束在晶片上照射，既可去除激光光束的照射部分，这时产生的副产物往切割面的垂直方向排出。晶片的切割深度不深时可轻而易举往外排副产物，但是切割深度越深时，因激光光束照射升华或者气化的副产物未能往外排并在晶片墙面上凝聚、沉淀的问题出现。因这些副产物在沉淀而下降晶片切割效率的问题，有可能通过加宽晶片的切割宽度则解决加宽镜片的切割宽度可提高副产物往外派出的量并能最小化晶片的切割面再沉淀的量。但是，如果增加晶片切割宽度就要放大激光光束的焦点所以光束的集束强度也会下降，这时切割宽度加宽但是副产物的去除效率就降低并且有些晶片未能完全切割的缺点。 

发明内容

本实用新型目的是：提供一种结构简单，切割效果好且效率高的激光加工装置。 

本实用新型的技术方案是：一种激光加工装置，包括激光器，移送装置，控制部以及基板，其特征在于，还包括焦点成型部，所述焦点成型部位于基板的上方，所述基板放置于所述移送装置上，所述激光器通过控制部控制发射激光束，该激光束射入焦点成型部后形成椭圆形激光束，然后该椭圆形激光束切割位于基板上的待加工件。 

优选地，所述焦点成型部包括第一透镜以及第二透镜，所述第一透镜与 所述第二透镜异面垂直。 

优选地，所述第一透镜和第二透镜为圆筒形镜片。 

优选地，还包括清洗部，所述清洗部内填充有氦气或清洗液。 

优选地，所述椭圆形激光束的短轴长和长轴长的比率是1：4到1:12之间。 

优选地，所述椭圆形激光光束的长轴长为100～150μm，短轴长为5～35μm。 

优选地，所述第一透镜和第二透镜为可移动透镜，并与所述控制部连接。 

优选地，所述激光束的照射频率在30kHz-100kHz之间。 

本实用新型的优点是结构简单，切割效果好且效率高，使加工时发生的副产物最小化并提升了加工效率。 

附图说明

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述： 

图1为本实用新型结构示意图； 

图2为本实用新型焦点成型部结构示意图； 

图3为本实用新型切割示意图； 

其中：1激光器，2控制部，3清洗部，4基板，5焦点成型部，5-1第一透镜，5-2第二透镜，6待加工件。 

具体实施方式

实施例：参照图1，2，3所示，一种激光加工装置，包括激光器1，移送装置，控制部2，清洗部3，基板4以及焦点成型部5，焦点成型部5位于基板4的上方，基板4放置于移送装置上，激光器1通过控制部2控制发射激光束，该激光束射入焦点成型部5后形成椭圆形激光束，然后该椭圆形激光束切割位于基板4上的待加工件6。焦点成型部5包括第一透镜5-1以及第二透镜5-2，该第一透镜5-1与第二透镜5-2异面垂直，且第一透镜5-1和第二透镜5-2为圆筒形镜片，第一透镜5-1和第二透镜5-2为可移动透镜，并与所述控制部2连接，通过上下调节第一透镜5-1和第二透镜5-2的位置可以调节照射到待加工件6上的椭圆形激光束的大小。清洗部3内填充有氦气或清洗液，可以清洗掉待加工件6表面残留的副产物。 

激光加工装置在加工过程中，椭圆形激光束的短轴长和长轴长的比率是1：4到1:12之间，椭圆形激光光束的长轴长为100～150μm，短轴长为5～35μm，激光束的照射频率在30kHz-100kHz之间比较可取。 

本实用新型的优点是结构简单，切割效果好且效率高，使加工时发生的副产物最小化并提升了加工效率。 

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型主要技术方案的精神实质所做的修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。