[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

目前，现有技术中的显示产品，如TFT-LCD，电子纸，AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置等，其阵列基板多采用LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)工艺，且P-Si(Poly-Silicon，多晶硅)都采用顶栅的TFT结构。此种结构普遍存在Ioff偏高的问题，故现有技术中的阵列基板都采用双栅极的设计，如图1所示，栅线10和数据线11交叉设置，栅极12从栅线10上延伸而出，源极13与所述数据线11相连接。该阵列基板中的P-Si层14采用顶栅的TFT结构形成在栅极12的下方，P-Si层14分别通过过孔与源极13和漏极15连接，本结构中P-Si层14上与所述栅极12相重叠的区域即图中所示的A1与A2处形成有两个TFT沟道。这样在栅线10上加载电压，栅极12通电后，这两个TFT沟道就会导通，从而使源极13和漏极14之间处于导通状态，连接漏极15的像素电极16即可被充电，被充电后的像素电极16就会与公共电极形成电场，通过控制电场的变化就可以控制显示装置显示不同的图像。

在如图1所示的结构中，发明人发现若在沟道位置处出现不良，则显示装置就会出现无法维修的问题，这样就降低了显示装置的产出率。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示装置，可以在阵列基板的沟道位置处出现不良时进行维修，提高显示装置的产出率。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括栅极、半导体层、源极和漏极，所述半导体层包括至少两个同层设置的半导体图案；其中，每个半导体图案对应至少两个与所述半导体图案重叠的栅极，每个所述半导体图案一端连接源极一端连接漏极。

所述第一半导体图案的一端与所述源极连接，另一端与所述漏极连接；每个所述第二半导体图案的一端与所述源极连接，另一端通与所述漏极连接。

优选的，所述半导体层的材料为多晶硅。

优选的，所述半导体层包括两个同层设置的半导体图案：第一半导体图案和第二半导体图案；每个所述半导体图案都是连通图案。

优选的，所述阵列基板包括两个源极：第一源极和第二源极；两个漏极：第一漏极和第二漏极；其中，所述第一和所述第二半导体图案平行设置，且不相连，所述第一半导体图案的一端连接第一源极，另一端连接第一漏极，所述第二半导体图案的一端连接第二源极，另一端连接第二漏极。

优选的，所述阵列基板包括：第三源极和第三漏极；其中，每个所述半导体图案都一端连接第三源极，另一端连接第三漏极；所述第一半导体图案和所述第二半导体图案相连通，且所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的一端在与所述第三源极连接的区域处重合，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的另一端在与所述第三漏极连接的区域处相重合。

一种显示装置，包括上述的阵列基板。

上述技术方案提供的阵列基板及显示装置，通过在阵列基板上形成多个半导体图案，这样在一个半导体图案处的沟道出现不良时，可以利用激光对显示装置进行维修：将出现不良的沟道所在的半导体图案切断。这样虽然有一个半导体图案不能导通源漏极，但其他半导体图案处仍然可以导通源漏极，使显示装置进行图像显示，即本实用新型提供的阵列基板及显示装置可以在沟道位置处出现不良时进行维修，提高显示装置的产出率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的一种阵列基板的俯视结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图4为图3所示的阵列基板在A-A方向上的剖面结构示意图；

图5为图3所示的阵列基板的等效电路图；

图6为本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图7为图6所示的阵列基板的等效电路图。

附图标记：