[实用新型]一种基于量子点的复合紫外增强薄膜有效
| 申请号： | 201320095636.X | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN203218326U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 姜霖;陶春先;张大伟;王琦;黄元申;倪争技;庄松林 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 量子 复合 紫外 增强 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于量子点的复合紫外增强薄膜，为层状结构，包括石英基片、量子点薄膜层，其特征在于还包括由聚3,4-亚乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜层和聚4-丁基三苯胺薄膜层；
所述的一种基于量子点的复合紫外增强薄膜自下而上依次为底层石英基片、聚3,4-亚乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜层、聚4-丁基三苯胺薄膜层和最上层的量子点薄膜层；
所述的量子点薄膜层即为CdSe/ZnS核壳结构量子点薄膜层；
所述的聚3,4-亚乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜层、聚4-丁基三苯胺薄膜层及量子点薄膜层通过旋涂法镀膜或提拉法镀膜而成。
2.如权利要求1所述的一种基于量子点的复合紫外增强薄膜，其特征在于所述的CdSe/ZnS核壳结构量子点的粒径为5nm。
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