[实用新型]太阳能电池元件

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池元件及太阳能电池元件的制造方法。 

背景技术

存在一种太阳能电池元件，即，在一导电型的半导体基板的表层部配置了扩散反向导电型的杂质的区域（也称为反向导电型区域），且在其上配置了防反射膜及线状的表面电极，并且在半导体基板的背面配置了背面电极。并且，公开了具有在反向导电型区域中的配置线状的表面电极的区域中提高了反向导电型的杂质的含有浓度的结构（也称为选择性发射极结构）的太阳能电池元件（例如专利文献1等）。 

在该选择性发射极结构中，在反向导电型区域中的配置线状的表面电极的区域与残余的区域相比表面电阻减少。由此，在半导体基板和表面电极的接合部，在接触电阻减少的同时，暗电流减少，从而太阳能电池元件的填充因子、开路电压提高。其结果是，太阳能电池元件的转换效率提高。 

然而，在形成这样的选择性发射极结构时，通过在半导体基板的表面中的减少了表面电阻的区域精度良好地形成线状的表面电极，转换效率提高。在此，公开了以下的技术，即，通过改变半导体基板中的形成表面电极的区域的表面的粗糙度，将半导体基板的反射率与其他区域不同的图案区域作为用于定位的标记而形成（例如专利文献2等）。 

专利文献1：日本特开2003－197932号公报 

专利文献2：日本特开2011－23690号公报 

在此，通过在太阳能电池元件的半导体基板的表面设置凹凸，由于光局限效应，能够提高照射于表面的太阳光的吸收效率，在该情况下，太阳能电池元件的表面的颜色例如通过视觉确认为藏青色。并且，根据上述专利文献2的技术，半导体基板的表面中的改变了粗糙度的图案区域的颜色例如通过视觉确认为深蓝色。因此，不容易区别半导体基板的表面的图案区域和其他 区域，因此，在用图像处理确认图案区域的情况下，不易辨别图案区域的边缘部分，不易在半导体基板的表面中的减少了表面电阻的区域精度良好地形成线状的表面电极。 

在此，期望高精度形成电极的太阳能电池元件以及太阳能电池元件的制造方法。 

实用新型内容

为了解决上述课题，一方式涉及的太阳能电池元件具有：半导体基板，其在一主面侧的表层部具有一导电型的掺杂浓度为第一浓度的第一浓度区域及所述掺杂浓度比第一浓度区域高的、该第一浓度区域以外的第二浓度区域；防反射膜，其配置于所述一主面的所述第一浓度区域上；电极，其配置于所述一主面的所述第二浓度区域上。并且，在该太阳能电池元件中，在所述半导体基板的所述表层部设置了相互隔离的两处以上的定位基准部，该两处以上的定位基准部的所述一主面的第一表面粗糙度比所述定位基准部以外的所述一主面的第二表面粗糙度大。 

根据一方式涉及的太阳能电池元件以及另一方式涉及的太阳能电池元件的制造方法的任一个，均容易辨别定位基准部的边缘部分，因此高精度形成电极。 

附图说明

图1是示意性地表示一实施方式涉及的太阳能电池元件的受光面的外观的俯视图。 

图2是示意性地表示一实施方式涉及的太阳能电池元件的非受光面的外观的俯视图。 

图3是表示在图1及图2中的用点画线III–III表示的位置的XZ截面的图。 

图4是示意性地表示一实施方式涉及的太阳能电池模块的截面的分解图。 

图5是示意性地表示一实施方式涉及的太阳能电池模块的外观的俯视 图。 

图6是用SEM拍照的定位基准部的截面的照片。 

图7是用SEM拍照的定位基准部的上表面的照片。 

图8是表示一实施方式涉及的太阳能电池元件的制造流程的流程图。 

图9是表示一实施方式涉及的太阳能电池元件的制造流程的流程图。 

图10是表示一实施方式涉及的太阳能电池元件的制造流程的流程图。 

图11是表示一实施方式涉及的太阳能电池元件的制造中途的状况的剖视图。 

图12是表示一实施方式涉及的太阳能电池元件的制造中途的状况的剖视图。 

图13是表示一实施方式涉及的太阳能电池元件的制造中途的状况的剖视图。 

图14是表示一实施方式涉及的太阳能电池元件的制造中途的状况的剖视图。 

图15是表示一实施方式涉及的太阳能电池元件的制造中途的状况的剖视图。 

图16是用SEM拍照的高能激光束照射半导体基板上后的表面的照片。 

图17是表示激光束的能量的强度分布的示意图。 

图18是表示一实施方式涉及的太阳能电池元件的制造中途的状况的剖视图。 

图19是表示一实施方式涉及的太阳能电池元件的制造中途的状况的俯视图。