[实用新型]用于转变无机层的基板及有机发光装置有效
申请号: | 201320078165.1 | 申请日: | 2013-02-20 |
公开(公告)号: | CN203312371U | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 朴镇宇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鸿禧;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 转变 无机 有机 发光 装置 | ||
本申请要求于2012年3月5日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0022519号韩国专利申请的优先权及其权益,该申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本实用新型的实施例涉及一种制备有机发光装置的方法,用于转变无机层的基板以及有机发光装置。
背景技术
作为自发射装置的有机发光装置具有诸如宽视角、优异的对比度、快速的响应、高亮度。优异的驱动电压特性的优点,并且可显示多彩的图像。
有机发光装置包括有机发射单元,有机发射单元包括第一电极、有机层以及第二电极。由于有机发射单元对于诸如氧和湿气的外部环境来说是脆弱的,所以使用了使有机发射单元相对于外部环境密封的密封结构。
同时,需要开发薄的有机发光装置和/或柔性的有机发光装置。
实用新型内容
根据本实用新型的一个实施例,提供一种可以解决上述技术问题和/或其他技术问题、并可以实现提供具有对外部环境的良好的密封特性以及柔性的有机发光显示装置的制备有机发光显示装置的方法,该方法包括下述步骤:在第二基板上形成包含低温粘度转变(LVT)无机材料的至少一个预无机层;在第一基板上形成至少一个有机发射单元;将粘合剂施加到第二基板和第一基板中的至少一个基板的边缘部分;利用粘合剂使第二基板与第一基板结合,以使预无机层与有机发射单元彼此面对;通过在大于LVT无机材料的粘度转变温度的温度条件下对预无机层执行复原工艺,使预无机层转变为无机层,以覆盖有机发射单元。
根据本实用新型的另一实施例,提供一种制备有机发光装置的方法,该 方法包括下述步骤:在第二基板上形成包含低温粘度转变(LVT)无机材料的预无机层;在第一基板上形成至少一个有机发射单元;在第一基板以及有机发射单元上形成至少一个第一有机层,以覆盖有机发射单元;将粘合剂施加到第二基板和第一基板中的至少一个基板的边缘部分;利用粘合剂使第二基板与第一基板结合,使得预无机层和第一有机层彼此面对;通过在大于LVT无机材料的粘度转变温度的温度条件下对预无机层执行复原工艺,使预无机层转变为无机层,以覆盖第一有机层。
所述方法还可包括将无机层与第二基板分开的步骤。
第二基板可包含玻璃、塑料或金属。
形成有机层的步骤和/或形成第一有机层的步骤可包括提供可固化前驱物并使可固化前驱物固化。
可利用闪蒸器来执行提供可固化前驱物的步骤。
可通过使用UV线、红外线和激光束来执行使可固化前驱物固化的步骤。
形成预无机层的步骤可包括:将包含LVT无机材料粉体的糊施加到第二基板;对糊进行烧结。
形成预无机层的步骤可包括:通过喷涂将包含LVT无机材料的粉体的分散体系施加到基板;对分散体系进行热处理。
可在真空中、在减小的压强条件下或者在基本去除了湿气或氧的影响的不活泼气氛中执行使第二基板与第一基板结合的步骤,从而第二基板与第一基板之间的空间基本保持为真空。
LVT无机材料的粘度转变温度可以是能够向LVT无机材料提供流动性的最低温度。
LVT无机材料的粘度转变温度可小于有机发射单元中包含的材料的变性温度的最小值。
LVT无机材料可包含锡的氧化物。
LVT无机材料可包括从由磷的氧化物、硼的磷酸盐、锡的氟化物、铌的氧化物以及钨的氧化物组成的组中选择的至少一种。
LVT无机材料可包括:SnO;SnO和P2O5;SnO和BPO4;SnO、SnF2和P2O5;SnO、SnF2、P2O5和NbO;或者SnO、SnF2、P2O5和WO3。
可通过在LVT无机材料的粘度转变温度与有机发射单元中包含的材料的变性温度的最小值之间的温度条件下对预无机层进行热处理来执行转变的 步骤。
转变的步骤可包括在大约80℃至大约132℃的温度条件下对预无机层进行热处理长达大约1小时至3小时。
可在真空中或在不活泼气体气氛中执行转变的步骤。
转变的步骤可包括在利用激光束照射预无机层的同时扫描预无机层。
所述方法还可包括在第二基板和预无机层之间形成至少一个第二有机层的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择