[实用新型]陶瓷覆铜板

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路板及其制备方法领域技术，尤其是指一种氧化铝或氮化铝陶瓷覆铜板。

背景技术

陶瓷材料具有高的导热系数、低的介电常数、与芯片相近的热膨胀系数、高耐热及电绝缘性等特点，陶瓷材料已广泛应用电子产品及电子设备中。现有技术中，多采用在陶瓷基板上如下工艺：清洗——真空溅镀——化学沉铜——电路布线——贴干膜、曝光、显影——电镀铜加厚——化学刻蚀等工艺制成陶瓷电路板，现有技术中，在真空溅镀过程中，先溅射一层钛层后溅射一铜层，然而在实际应用中，由于钛金属特别容易钝化，而溅射镀铜层不够致密,在后续加工过程中药水浸泡时，难以确保钛层不被氧化、钝化。因此加厚镀铜层与钛层之间的附着力比较难以保证，容易出现抗剥离强度达不到要求。另外，金属钛的导热系数是15.24W/m·K，低于氧化铝陶瓷的导热系数24-28 W/m·K，更低于氮化铝陶瓷的导热系数170-230 W/m·K，这在一定程度上成为导热系数提高的瓶颈因素。而金属镍的导热系数为90.7 W/m·K。 

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种陶瓷覆铜板及其制备方法，所制得的陶瓷覆铜板具有优良的导电性且易于加工生产。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：一种陶瓷覆铜板，包括有一陶瓷基板，该陶瓷基板上依次设置钛层、镍层以及铜层，该钛层附着于陶瓷基板上，该镍层附着于钛层上，该铜层附着于镍层上。

作为一种优选方案，所述钛层的厚度为30~100纳米，所述镍层的厚度为30~100纳米，所述铜层的厚度为50~150纳米。

作为一种优选方案，所述铜层上还电镀有一铜加厚层。

作为一种优选方案，所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷基板或氮化铝陶瓷基板。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：

通过在陶瓷基板上依次设置有钛层、镍层以及铜层，该钛层与陶瓷基板之间具有较好的附着力，该镍层与钛层及铜层之间具有很好的附着力，如此能够使得铜层与陶瓷基板的连接更加稳固以便后续加工，如刻蚀等工艺。

通过在陶瓷基板上依次溅镀钛层、镍层以及铜层后，在铜层上先通过化学沉铜的方式沉积一层薄铜，然后再继续电镀一铜加厚层，客户可以根据不同电路需求进行不同的电路设计，只需多加一道刻蚀的工艺即可得到所要的陶瓷电路板；通过本实用新型的设计，满足了客户对不同电路的电路板需求，从而有利于大批量生产，降低产品成本，提高市场竞争力。

为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明：

附图说明

图1是本实用新型之较佳实施例的工艺流程图；

图2是本实用新型之较佳实施例的陶瓷覆铜板截面图；

图3是本实用新型之较佳实施例的陶瓷电路板截面图。

附图标识说明：

10、陶瓷基板

20、铜层

30、钛层

40、镍层

50、铜加厚层。

具体实施方式

请参照图2所示，其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构，：一种陶瓷覆铜板，包括有一陶瓷基板10，该陶瓷基板20上依次设置钛层20、镍层30以及铜层40，该钛层20附着于陶瓷基板10上，该镍层30附着于钛层20上，该铜层40附着于镍层30上；所述钛层20的厚度为30~100纳米，所述镍层30的厚度为30~100纳米，所述铜层40的厚度为50~150纳米；所述铜层40上还电镀有一铜加厚层50。

如图1所示，一种陶瓷覆铜板及其电路板的制备方法，包括以下步骤：

（1）清洗：对陶瓷基板10用酒精进行清洗，然后在200℃下烘烤60分钟，去除陶瓷基板表面的杂质和污渍；

（2）等离子体处理：对清洗后的陶瓷基板10表面进行等离子体蚀刻处理；

（3）真空溅镀：以真空溅镀方式在离子源蚀刻后的陶瓷基板表面依序溅射一钛层20、一镍层30以及一铜层40，所述钛层20的厚度为30~100纳米，所述镍层30的厚度为30~100纳米；该铜层40的厚度为50~150纳米；

（4）电镀加厚：在铜层40上先通过化学沉铜的方式沉积一层薄铜，然后再继续电镀一铜加厚层50，形成0.5OZ、1OZ、2OZ、3OZ等各种标准规格铜厚以及其他非标准规格铜厚的陶瓷覆铜板； 

（5）线路制作：在陶瓷覆铜板上贴干膜或者印刷湿膜，然后利用菲林覆于陶瓷基板的表面上进行曝光、显影处理，以获得电路图案；