[实用新型]一种扩散炉有效
申请号: | 201320058086.4 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN203159745U | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 樊坤;刘良玉;禹庆荣;杨彬;张宝锋 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | C30B31/06 | 分类号: | C30B31/06;C30B31/16 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩散 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种扩散炉。
背景技术
扩散炉是一种用于半导体材料处理的工艺设备,扩散炉主要用于参杂工艺,特别在晶体硅太阳能电池PN结生成过程中起关键性的作用,对转换效率的提高起到决定性的作用。通常包括加热炉、净化台及气源组成,加热炉带有炉腔,炉口方向朝向净化台方向,在加热炉内另设计有放置硅片的石英舟。
现有的扩散炉中,存在以下不足之处:
1、扩散炉在装载硅片时,会有一些粉尘、颗粒附在硅片表面,这些粉尘、颗粒将随硅片送入到炉口内部高温区域后,会扩散到硅片中从而影响其质量。
2、扩散炉在卸载硅片时,硅片和石英舟的温度较高,不利于人员的拿取,并且硅片出炉后,又接触到粉尘、颗粒和不利的杂质,在较高的温度下继续扩散到硅片中,从而影响硅片的质量。
3、扩散炉在卸载硅片时,硅片和石英舟上会附着大量扩散工艺的残留气体(P2O5)和废气(Cl2)。若遇到温度较低的冷空气,其中的水与P2O5生成偏磷酸、与Cl2生成盐酸。偏磷酸和盐酸对人体都能造成严重伤害,玻璃状的偏磷酸对后续工艺产生不利影响,偏磷酸还易潮解生成磷酸,磷酸和盐酸对设备仪器产生腐蚀,影响其使用寿命和工作性能。
发明内容
本实用新型的目的在于,针对现有技术的不足,提供一种扩散炉,能够全方位吹扫掉硅片上的粉尘,有效地提高扩散炉的扩散工艺,从而提高太阳能电池的光电转换效率。
本实用新型的技术方案为,一种扩散炉,包括加热炉、净化台和置于加热炉与净化台之间的废气排气室,所述废气排气室内设有用于清洁进入废气排气室内硅片的吹扫机构。
所述吹扫机构包括一端连接送气单元的螺旋状圆形管体,并在靠近硅片的圆形管体外壁上开有多个孔。
所述排气室内设有抽气机构。
圆形管体通过卡套固定在废气排气室靠近净化台端开口的内侧壁上。
所述圆形管体螺旋状直径比圆形炉门直径大,小孔的朝向垂直于石英舟。因为硅片是以垂直方向放在石英舟上,并从废气排气室端部将硅片送入炉体内的。
本实用新型通过在加热炉炉口设置一个螺旋状的圆形管体作为吹扫机构,从而使扩散炉在装载硅片时,螺旋风面可以全方位的吹扫硅片上的粉尘、颗粒,这样可以避免硅片上的粉尘、颗粒在高温时扩散到硅片中,影响PN结、减反膜的质量;卸载硅片时,螺旋风面可以全方位的吹扫硅片上的残留气体,在扩散炉中可以避免硅片扩散后,硅片和石英舟上附带的残留气体遇到水蒸气发生化学反应,生成偏磷酸和盐酸形成的污染;同时卸载硅片时可是硅片快速冷却,可以避免硅片出炉后接触到粉尘、颗粒和不利的杂质,在较高的温度下继续扩散到硅片中,从而影响硅片的质量。该吹扫机构还可用在与扩散炉同领域的PECVD设备中。
附图说明
图1为本实用新型一种实施例的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,一种扩散炉,包括加热炉1、净化台8和置于加热炉1与净化台8之间的废气排气室7,废气排气室7内设有用于清洁进入废气排气室7内硅片4的吹扫机构。
吹扫机构包括一端连接送气单元的螺旋状圆形管体5,并在靠近硅片4的圆形管体5外壁上开有多个孔6。
排气室7内设有抽气机构,抽气机构采用气泵等常规抽气设备。
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