[实用新型]辐射探测器

权利要求书

1.一种辐射探测器，包括：

用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；

位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及

位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，

其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。

2.根据权利要求1所述的辐射探测器，其特征在于半导体晶体感测X射线或γ射线。

3.根据权利要求1所述的辐射探测器，其特征在于半导体晶体的形状为长方体，并且所述顶部表面和所述底部表面是长方体的任意两个相对表面，所述至少一个侧面是长方体的其余四个表面。

4.根据权利要求1所述的辐射探测器，其特征在于半导体晶体的形状为立方体，并且所述顶部表面和所述底部表面是立方体的任意两个相对表面，所述至少一个侧面是立方体的其余四个表面。

5.根据权利要求1所述的辐射探测器，其特征在于半导体晶体的形状为半圆柱体，并且所述顶部表面和所述底部表面分别是半圆柱体的纵向截面和弧面，所述至少一个侧面是圆柱体的横向截面。

6.根据权利要求1所述的辐射探测器，其特征在于半导体晶体的形状为扇形体，并且所述顶部表面和所述底部表面分别是扇形体的纵向截面和弧面，所述至少一个侧面是圆柱体的横向截面和径向截面。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的辐射探测器，其特征在于阳极电极以大致对称的方式布置在半导体晶体的顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面的中心。

8.根据权利要求7所述的辐射探测器，其特征在于阳极电极包括彼此平行延伸的多个子电极。

9.根据权利要求7所述的辐射探测器，其特征在于阳极电极布置在半导体晶体的顶部表面和底部表面上。

10.根据权利要求7所述的辐射探测器，其特征在于阳极电极布置在半导体晶体的顶部表面和与顶部表面相邻的侧面上。

11.根据权利要求1-6中任一项所述的辐射探测器，其特征在于阴极电极完全覆盖其所在的半导体晶体的表面。

12.根据权利要求1-6中任一项所述的辐射探测器，其特征在于阳极电极布置在半导体晶体的顶部表面上，阴极电极布置在半导体晶体的底部表面和与底部表面相邻的侧面上。

13.根据权利要求12所述的辐射探测器，其特征在于阴极电极在与底部表面相邻的侧面上从底部表面向顶部表面延伸至未到达顶部表面的高度。

14.根据权利要求12所述的辐射探测器，其特征在于阴极电极在与底部表面相邻的两个侧面上分别从底部表面向顶部表面延伸不同的高度。

15.根据权利要求12所述的辐射探测器，其特征在于半导体晶体的底部表面和与底部表面相邻的侧面之间的棱角倒圆。

16.根据权利要求12所述的辐射探测器，其特征在于阴极电极位于半导体晶体的底部表面和与底部表面相邻的侧面之间的棱角处的部分局部地去除。

17.根据权利要求12所述的辐射探测器，其特征在于半导体晶体的底部表面和与顶部表面相邻的侧面之间的棱角倒圆。

18.根据权利要求1-6中任一项所述的辐射探测器，其特征在于还包括在阳极电极的两侧形成平行于阳极条的半导体晶体表面中的凹槽。

19.根据权利要求1-6中任一项所述的辐射探测器，其特征在于还包括在阳极电极的两侧形成平行于阳极条的半导体晶体表面上的保护导体。

20.根据权利要求19所述的辐射探测器，其特征在于保护导体位于半导体晶体的与阳极电极所处的表面相同的表面上。

21.根据权利要求19所述的辐射探测器，其特征在于保护导体位于半导体晶体的与阳极电极所处的表面相邻的表面上。

22.根据权利要求19所述的辐射探测器，其特征在于保护导体位于阳极电极所处的表面以及与该表面相邻的表面之间的棱角上。

23.根据权利要求1所述的辐射探测器，其特征在于半导体晶体由选自Ge、HgI₂、GaAs、TiBr、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI₂和AlSb中的一种组成。