[实用新型]小型化陶瓷电容器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种小型化陶瓷电容器，属于电容器技术领域。

背景技术

近年来，伴随着携带电话等移动机器的普及、作为个人电脑等的主要部件的半导体元件的高速化及高频化，对于搭载于此种电了机器中的叠层陶瓷电容器，为了满足作为旁通电容器的特性，小型、高容量化的要求不断提高。但存在以下技术问题：

现有陶瓷电容器体积较大，提高电容量会导致占用电子产品的较大的空间，因此在减小器件体积时增加电容量成为技术难点，且现有射频用电容的馈入点及接地点设置在固定的位置，故在将天线安装至电路板时，只能安装于电路板特定位置，不能灵活设置；

其次，陶瓷电容器需要将基板两面上的相互分离电路点做导通连接或者是做基板两面间的导热处理时，容易发生于连接孔中未完全填满而有孔洞，从而在产品的良率控管上有其瓶颈。因此，如何解决上述技术问题，成为本领域普通技术人员努力的方向。

发明内容

本实用新型目的是提供一种小型化陶瓷电容器，该陶瓷电容器大大降了烧结时连接孔内的金属表面产生凹陷的几率，从而有效避免了空洞的产生，提高了产品的可靠性和良率；且减小器件体积时增加了电容量，从而有利于器件小型化。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种小型化陶瓷电容器，包括氮化铝基片和氧化铝基片，此氮化铝基片和氧化铝基片之间夹有具有位于同一平面的第一U型导电层、第二U型导电层，此第一U型导电层和第二U型导电层之间电隔离；所述氮化铝基片、第一U型导电层和氧化铝基片中具有两个贯通三者的第一连通孔，此第一连通孔内填充有第一金属柱，所述氮化铝基片、第二U型导电层和氧化铝基片中具有两个贯通三者的第二连通孔，此第二连通孔内填充有第二金属柱；一银浆焊接层分别覆盖于所述氮化铝基片的第一连通孔、氧化铝基片的第二连通孔各自的端面，一用于与电路板电接触的金属贴片固定于所述银浆焊接层与第一连通孔、第二连通孔相背的表面。

上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：

作为优选，所述第一U型导电层、第二U型导电层均包括两个侧电极和连接两个侧电极底端的底电极；所述第一U型导电层的一个侧电极嵌入由第二U型导电层的侧电极和底电极形成的凹槽区内。

作为优选，所述氮化铝基片和氧化铝基片的厚度比为1：1.2~1.5。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果：

本实用新型小型化陶瓷电容器，其银浆焊接层分别覆盖于所述氮化铝基片的第一连通孔、氧化铝基片的第二连通孔各自的端面，由于银浆未固化前流延性好，大大降了连接孔内的金属表面产生凹陷的几率，从而有效避免了空洞的产生，提高了产品的可靠性和良率；其次，其第一U型导电层、第二U型导电层均包括两个侧电极和连接两个侧电极底端的底电极；所述第一U型导电层的一个侧电极嵌入由第二U型导电层的侧电极和底电极形成的凹槽区内，减小器件体积时增加了电容量，从而有利于器件小型化，提高了产品的可靠性和良率；再次，陶瓷烧结体由氮化铝基片和氧化铝基片组成，此氮化铝基片的下表面和氧化铝基片的上表面之间具有一金属图形层，提高了陶瓷烧结体机械加工性能。

附图说明

附图1为本实用新型小型化陶瓷电容器中间层结构示意图；

附图2为本实用新型小型化陶瓷电容器截面结构示意图。

以上附图中：1、氮化铝基片；2、氧化铝基片；3、第一U型导电层；4、第二U型导电层；5、第一连通孔；6、第一金属柱；7、第二连通孔；8、第二金属柱；9、银浆焊接层；10、金属贴片；11、侧电极；12、底电极；13、凹槽区。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例1：一种小型化陶瓷电容器，包括氮化铝基片1和氧化铝基片2，此氮化铝基片1和氧化铝基片2之间夹有具有位于同一平面的第一U型导电层3、第二U型导电层4，此第一U型导电层3和第二U型导电层4之间电隔离；所述氮化铝基片1、第一U型导电层3和氧化铝基片2中具有两个贯通三者的第一连通孔5，此第一连通孔5内填充有第一金属柱6，所述氮化铝基片1、第二U型导电层4和氧化铝基片2中具有两个贯通三者的第二连通孔7，此第二连通孔7内填充有第二金属柱8；一银浆焊接层9分别覆盖于所述氮化铝基片1的第一连通孔5、氧化铝基片2的第二连通孔7各自的端面，一用于与电路板电接触的金属贴片10固定于所述银浆焊接层9与第一连通孔5、第二连通孔7相背的表面。