[发明专利]混合集成部件

权利要求书

1.一种具有至少一个MEMS构件并且具有至少一个由半导体材料制成的罩的部件，其中，所述MEMS构件的微机械结构设置在载体(1)与所述罩之间的空腔中并且包括至少一个可偏转的结构元件，所述至少一个可偏转的结构元件能够在空腔内从构件层面向外偏转，其中，所述罩包括至少一个在所述罩的整个厚度上延伸的区段(21，22)，所述至少一个区段如此与相邻的半导体材料电绝缘，使得其能够与所述罩的其余区段无关地电接通，其特征在于，所述部件具有用于所述至少一个可偏转的结构元件的信号检测和/或激励的电容器装置，其中，所述可偏转的结构元件配备有所述电容器装置的至少一个电极，其中，在所述载体(1)上构造有所述电容器装置的至少一个固定的对应电极(32)，其中，在所述罩上在至少一个电绝缘区段(21，22)中构造有所述电容器装置的至少一个另外的固定的对应电极。

2.根据权利要求1所述的部件，其特征在于，所述罩的各个区段(21，22)与所述相邻的半导体材料之间的电绝缘部(23)在半导体材料中以沟槽结构形式实现，所述电绝缘部在所述罩的整个厚度上延伸并且至少部分地以电绝缘材料填充。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的部件，其特征在于，所述罩的朝向所述空腔的表面是结构化的，使得所述MEMS构件的微机械结构在没有偏转的状态中位于相对于所述罩的至少一个电绝缘区段(21，22)的定义间距处。

4.根据权利要求1或2所述的部件，其特征在于，所述罩的至少一个电绝缘区段作为所述可偏转的结构元件的机械止挡起作用。

5.根据权利要求1或2所述的部件，其特征在于，所述罩的至少一个电绝缘区段(21，22)作为电极起作用，尤其用于电容式检测所述可偏转的结构元件的偏转，和/或用于电容式激励所述可偏转的结构元件。

6.根据权利要求1或2所述的部件，其特征在于，在所述罩的至少一个电绝缘区段(21，22)与所述MEMS构件和/或所述载体之间存在电连接。

7.根据权利要求1或2所述的部件，

其中，所述MEMS构件的功能以层结构在所述载体(1)上实现，

其中，所述MEMS构件的层结构包括至少一个印制导线层面(3)和至少一个功能层(5)，在所述至少一个功能层中构造有具有至少一个可偏转的结构元件的MEMS构件的微机械结构，

其中，所述印制导线层面(3)一方面通过至少一个绝缘层(2)与所述载体(1)绝缘，另一方面通过至少一个绝缘层(4)与所述功能层(5)绝缘，

其特征在于，所述罩的至少一个电绝缘区段(21，22)能够通过所述MEMS构件的印制导线层面(3)电接通。

8.根据权利要求1或2所述的部件，

其中，具有所述至少一个可偏转的结构元件的微机械结构在所述MEMS构件的整个厚度上延伸，

其中，ASIC构件(201)作为载体起作用，所述MEMS构件装配在所述载体上，使得在所述可偏转的结构元件与所述ASIC构件(201)的表面之间存在间隙，

其特征在于，所述罩的至少一个电绝缘区段(221，222)能够通过所述ASIC构件(201)电接通。

9.根据权利要求1所述的部件，其中，所述部件是具有作为可偏转的结构元件的振动质量的惯性传感器部件。