[发明专利]阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板有效

专利信息
申请号: 201310739608.1 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN103744225A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 曾志远;连水池;罗长诚 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1343;G02F1/136;H01L27/12
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 液晶显示 面板
【说明书】:

技术领域

发明涉及平面显示领域,尤其涉及一种阵列基板及用该阵列基板的液晶显示面板。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用,如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置,其包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。传统的液晶显示面板的结构是由一彩色滤光片基板(Color Filter)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate,TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成,其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转,将背光模组的光线折射出来产生画面。由于液晶显示面板本身不发光,需要借由背光模组提供的光源来正常显示影像,因此,背光模组成为液晶显示装置的关键组件之一。背光模组依照光源入射位置的不同分成侧入式背光模组与直下式背光模组两种。直下式背光模组是将发光光源例如阴极萤光灯管(Cold Cathode Fluorescent Lamp,CCFL)或发光二极管(Light Emitting Diode,LED)设置在液晶显示面板后方,直接形成面光源提供给液晶显示面板。而侧入式背光模组是将背光源LED灯条(Light bar)设于液晶显示面板侧后方的背板边缘处,LED灯条发出的光线从导光板(Light Guide Plate,LGP)一侧的入光面进入导光板,经反射和扩散后从导光板出光面射出,再经由光学膜片组,以形成面光源提供给液晶显示面板。

请参阅图1,其为现有的一种液晶显示面板的结构示意图,其包括阵列(Array)基板100、与阵列基板100贴合设置的彩膜(CF)基板300,及设于阵列基板100与彩膜基板300之间的液晶(LC)层500,其中,彩膜基板300上形成有像素结构以实现彩色显示。

随着技术的发展,现有一种液晶显示面板,其将像素结构整合于阵列基板上,其称为COA(color filter on array)技术。在该技术的基础上,现有一种共平面液晶显示面板(如图2所示),其包括:阵列基板100’、与阵列基板100’贴合设置的彩膜基板300’、及设于阵列基板100’与彩膜基板300’之间的液晶层500’,其中阵列基板100’上形成有薄膜晶体管阵列(TFT)与像素结构,薄膜晶体管阵列包括:栅极102、形成于栅极102上的栅极绝缘层104、形成于栅极绝缘层104上氧化物半导体层106及形成于栅极绝缘层104与氧化物半导体层106上的源/漏极108,氧化物半导体层106一般由铟镓锌氧化物(IGZO)形成,而在其形成制程中,形成氧化物半导体层106后,在氧化物半导体层106及栅极绝缘层104上需要先形成第二金属(M2)层,再进行蚀刻,然而,在第二金属层形成时,容易对氧化物半导体层106的表面造成损坏,使得该氧化物半导体层106的表面较为粗糙,会导致薄膜晶体管特性不佳的状况。

且,该种液晶显示面板的像素结构(如图3所示)的像素电极109为一整体平面结构,该种结构会导致液晶显示面板的开口率较小,进而导致液晶显示面板的显示效果不佳。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板,其结构简单,且具有良好的电学特性。

本发明的另一目的在于提供一种液晶显示面板,其结构简单,开口率大,显示效果好。

为实现上述目的,本发明提供一种阵列基板,包括:玻璃基板、形成于玻璃基板上的栅极、形成于栅极与玻璃基板上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的氧化物半导体层、形成于氧化物半导体层与栅极绝缘层上的源/漏极、形成于氧化物半导体层、源/漏极与栅极绝缘层上的保护层、形成于保护层上的彩膜滤光片、形成于彩膜滤光片与保护层上的平坦化层及形成于平坦化层上的像素电极,所述像素电极电性连接于所述源/漏极,且该像素电极线状排布,并围成一以“十”字结构为中心的发射状结构。

所述氧化物半导体层对应源/漏极之间设有凹槽,所述保护层形成于源/漏极、栅极绝缘层与凹槽上。

所述氧化物半导体层为铟镓锌氧化物层。

所述像素电极由纳米铟锡金属氧化物形成。

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