[发明专利]一种改善掩模垂向重力弯曲的掩模台

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造装备技术领域，特别地涉及一种用于光刻机的改善掩模垂向重力弯曲的掩模台。

背景技术

随着TFT-LCD技术的发展，为了降低制造成本，Glass的尺寸不断增大，目前已经发展到主流的8.5代（glass尺寸为2200mm×2500mm）大世代生产线，日本夏普甚至引入了10代线（glass尺寸为2800mm×3000mm）。与此同时，制造TFT图形，光刻使用的掩模尺寸随着世代增大尺寸也在变大。以尼康光刻机使用的掩模尺寸为例，8.5代掩模的大小已达到1400mm（长）×1220mm（宽）×13mm（厚）。如此大的掩模放在掩模台上，不可避免会受到向下重力的影响，在垂向上产生弯曲形变。而随着TFT基板上光刻图型CD尺寸减小，对光刻设备分辨率要求越来越高，掩模在垂向上的这种重力弯曲变形使光刻时的焦面Focus产生变化，进而对关键尺寸CD及套刻Overlay均匀性将产生越来越严重的影响，需要尽快解决。

在IC制造中，虽然光刻用的掩模较小，一般为6英寸（152.4mm×152.4mm），厚度为6.35mm。但是随着工艺节点缩小到纳米量级后，掩模的弯曲变形对光刻工艺的影响同样不可忽略。

目前，对这种由于重力造成的掩模弯曲变形而引入的光刻工艺误差，设备和制造厂商主要通过模拟仿真后，在软件方面进行补偿来改善其对光刻工艺的影响。但是这种方法有其局限性，对于不同的掩模使用同样的补偿，补偿效果不一定都很好，所以最佳的方式还是通过硬件的改造在根本上消除掩模的这种变形。

如图1-3所示，是目前掩模台的简化结构及掩模放在掩模台后出现弯曲变形的示意图。1为掩模台上对掩模产生向下吸力的真空吸附系统；2为掩模台；3为掩模台的透光部分；4为掩模带有铬图形的石英面；5为掩模的塑料薄膜层Pellicle膜。虚线箭头表示掩模被传输机械手送进掩模台的方向。

当前，掩模被传输机械手放在掩模台上后，石英面的两个边缘与掩模台上的真空吸附单元接触，被向下的吸附力固定在掩模台上，同时由于重力作用，掩模会有向下弯曲的变形。之后进行掩模与掩模台的对准，随掩模台移动，进行曝光，将掩模上的图形转移到下面工件台上玻璃glass或硅片wafer的基底上。

发明内容

为了克服掩模的垂向重力弯曲，本发明提出一种改善掩模垂向重力弯曲的掩模台，其特征在于：所述掩模台还包括对掩模施加对称向外背离掩模方向的拉力的系统。

优选地，所述对掩模施加对称向外背离掩模方向的拉力的系统包括对掩模施加对称向外拉力的多个真空吸附系统。

优选地，所述对掩模施加对称向外背离掩模方向的拉力的系统的真空吸附系统为对称的两个或四个。

优选地，所述对掩模施加对称向外背离掩模方向的拉力的系统的真空吸附系统设置在掩模台的导轨上，当掩模放置好后，所述真空吸附系统通过导轨移动到掩模边缘。

优选地，所述对掩模施加对称向外背离掩模方向的拉力的系统的真空吸附系统包括多个吸附单元。

优选地，所述掩模台还包括产生向下吸力的真空吸附系统。

本发明在原有掩模台的基础上，增加可以向掩模侧向两边或四周边缘施加对称向外拉力的系统，如真空吸附系统，从掩模石英面边缘的方向上，对掩模产生对称的向外拉力。这些向外的拉力可以改善由于重力作用，掩模产生的向下弯曲变形的现象。

附图说明

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。

图1-3为现有掩模台结构及掩模放在掩模台后出现弯曲变形的示意图；

图4为本发明改善掩模垂向重力弯曲的掩模台第一实施例结构示意图；

图5为本发明改善掩模垂向重力弯曲的掩模台第二实施例结构示意图；

图6为本发明改善掩模垂向重力弯曲的掩模台第三实施例结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。