[发明专利]用于测试声表面波谐振器的测试系统及其测试方法有效
申请号: | 201310721858.2 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103700604A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 刘绍侃;霍俊标;张雪奎 | 申请(专利权)人: | 深圳华远微电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 518125 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测试 表面波 谐振器 系统 及其 方法 | ||
1.一种用于测试声表面波谐振器的测试系统,其特征在于,包括:
驱动设备,具有探针,用于与被测对象触接,获取测试数据;
阻抗测定仪,用于检测被测对象的阻抗;
网络分析仪,与所述驱动设备通信,用于对所述测试数据进行分析,并根据分析结果控制驱动设备进行连续测试、暂停测试或者停止测试;
电平转换器,用于将驱动设备的输出电平转换成网络分析仪工作所需电平;
所述驱动设备通过所述电平转换装置与所述网络分析仪和阻抗测定仪连接。
2.根据权利要求1所述的用于测试声表面波谐振器的测试系统,其特征在于,所述驱动设备还用于在网络分析仪输出暂停测试信号时,标记被测对象;所述网络分析仪还用于在驱动设备标记被测对象后,输出测试信号使驱动设备测试下一被测对象。
3.根据权利要求1所述的用于测试声表面波谐振器的测试系统,其特征在于,所述电平转换器包括三刀双掷开关、第一光耦芯片、第二光耦芯片、第三光耦芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻和第十电阻;
所述第一光耦芯片的第一端通过第一电阻连接驱动设备,所述第一光耦芯片的第二端连接三刀双掷开关的第二端,第一光耦芯片的第三端接地,第一光耦芯片的第四端通过第二电阻连接第一高电平供电端、还通过第三电阻连接第一三极管的基极;所述第一三极管的集电极连接所述网络分析仪、还通过第四电阻连接第二高电平供电端,第一三极管的发射极接地;
所述第二光耦芯片的第一端通过第五电阻连接第三高电平供电端,所述第二光耦芯片的第二端连接所述网络分析仪,第一光耦芯片的第三端接地,第二光耦芯片的第四端通过第六电阻连接第二三极管的基极、还通过第七电阻连接第四高电平供电端;所述第二三极管的集电极连接三刀双掷开关的第五端,第二三极管的发射极接地;
所述第三光耦芯片的第一端通过第八电阻连接第五高电平供电端,所述第一光耦芯片的第二端连接所述网络分析仪,第三光耦芯片的第三端接地,第三光耦芯片的第四端通过第九电阻连接第三三极管的基极、还通过第十电阻连接第六高电平供电端;所述第一三极管的集电极连接三刀双掷开关的第八端,第三三极管的发射极接地;
所述三刀双掷开关的第一端、第四端和第七端连接所述驱动设备,三刀双掷开关的第三端、第六端和第九端连接所述阻抗测定仪。
4.根据权利要求3所述的用于测试声表面波谐振器的测试系统,其特征在于,所述第一三极管、第二三极管和第三三极管均为NPN三极管。
5.根据权利要求1所述的用于测试声表面波谐振器的测试系统,其特征在于,所述被测对象为晶片。
6.一种如权利要求1所述用于测试声表面波谐振器的测试系统的测试方法,其特征在于,包括:
A、开启驱动设备时,电平转换器将驱动设备的输出电平转换成网络分析仪工作所需电平,使驱动设备与网络分析仪通信;
B、使探针触接被测对象获取测试数据,并将所述测试数据发送给网络分析仪;
C、所述网络分析仪对测试数据进行分析,并根据分析结果控制驱动设备进行连续测试、暂停测试或者停止测试。
7.根据权利要求6所述的测试方法,其特征在于,在步骤C之后,所述的测试方法还包括:
D、当需要检测被测对象的阻抗时,由所述电平转换器进行切换使所述驱动设备与阻抗测定仪通信;
E、由阻抗测定仪测试被测对象的阻抗。
8.根据权利要求6所述的测试方法,其特征在于,所述步骤C具体包括:
C1、所述网络分析仪分别对被测对象的RIP值、IL值和F0值进行分析,当RIP值、IL值或FO值不在预设范围时,向所述驱动设备发送暂停测试信号;
C2、由所述驱动设备标记所述被测对象;
C3、网络分析仪控制驱动设备继续获取下一被测对象的测试数据。
9.根据权利要求8所述的测试方法,其特征在于,所述步骤C还包括:C4、在所有被测对像检测完成后,由网络分析仪向驱动设备发停止测试信号,控制驱动设备停止工作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造