[发明专利]一种改进型常压等离子体处理装置有效
申请号: | 201310719322.7 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103730322A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 王红卫;沈文凯 | 申请(专利权)人: | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 孟宏伟 |
地址: | 215011 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改进型 常压 等离子体 处理 装置 | ||
技术领域
本发明属于等离子体处理装置,具体涉及一种改进型常压等离子体处理装置。
背景技术
材料表面改性处理技术是当前普遍使用的材料制备技术之一,它是在一定的外界条件下,材料外部物质和材料表面发生物理或化学反应,从而使材料表面状态发生变化或在材料表面产生新的元素和新的基团,最终满足实际应用的需要。
但是,现代工业的迅猛发展对材料耐磨擦、磨损和抗腐蚀等性能提出了更高的要求,与此同时,对环保的要求也越来越高,从而有力地推动被称为绿色生产工艺的材料等离子表面改性技术的不断发展。在真空下,给反应气体环境施加高频电场,气体在高频电场的激励下电离产生等离子体。
然而,现有技术中的等离子体处理装置不能均匀的处理被处理物料,且必须在高压下才能处理物料。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,提供一种改进型常压等离子体处理装置。
本发明所采用的技术方案是:一种改进型常压等离子体处理装置,包括一阴极板,与上述阴极板相对应的阳极板,上述阴极板和上述阳极板之间接入高频电源,上述阴极板和上述阳极板之间形成高频电场,上述阴极板厚度大于上述阳极板厚度,上述阴极板和上述阳极板之间有一绝缘层,上述阴极板上设置有至少一个通气孔,上述通气孔用以气体的进入,上述通气孔与一气体腔连接,被处理物料设置在上述绝缘层上。
优选地,上述绝缘层设置在上述阳极板上,与上述阳极板想贴合设置。
优选地,上述气体腔的一端与上述通气孔连接,上述气体腔的另一端与上述绝缘层连接。
优选地,上述通气孔为的横截面为圆形,上述通气孔均匀地设置在阳极板上。
优选地,上述气体腔为圆柱形,上述气体腔的内径大于上述通气孔的内径。
优选地,上述阳极板做接地设置。
采用本技术方案的有益效果是:本发明的等离子体处理装置阳极板和阴极板之间形成高频电场,并且阴极板厚度大于阳极板厚度,阴极板上设置有通气孔,通气孔与设置在阳极板和阴极板之间的气体腔连接,形成微空心阴极,能够简单均匀地处理物料,阳极板和阴极板之间有一绝缘层,能有效防止平行电极板正对打火,本装置不需要在真空条件下进行,只要在常压下就能很好的处理需要处理的物料。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,其中:
图1是本发明实施例1的立体示意图;
图中,1.通气孔2.气体腔 3.绝缘层 4.阳极板 5.阴极板。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。
实施例1
如图1所示,一种改进型常压等离子体处理装置,包括一阴极板5,与阴极板5相对应的阳极板4,阴极板5和阳极板4之间接入高频电源,阴极板5和阳极板4之间形成高频电场,并且阴极板5厚度大于阳极板4厚度,这便形成微空心阴极,为防止阴极板5和阳极板4正对打火,阴极板5和阳极板4之间有一绝缘层3,阴极板5上设置有至少一个通气孔1,通气孔1用以气体的进入,通气孔1与一气体腔2连接,被处理物料设置在所述绝缘层3上。绝缘层3设置在阳极板4上,与阳极板4相贴合设置。气体腔2为圆柱形,气体腔2的一端与通气孔1连接,气体腔2的另一开口端正对与绝缘层3连接,气体腔2的内径大于通气孔1的内径,通气孔1的横截面为圆形,通气孔1均匀地设置在阴极板5上,阳极板4做接地设置。
本等离子体处理装置在处理物料时,将物料放置在绝缘层3上,通气孔1中通入气体,并且阳极板4和阴极板5之间连接高频电源,在阳极板4和阴极板5之间形成高频电场,通气孔1中通入的气体在高频电场中放电产生等离子体对物料进行等离子体处理。
本发明的有益效果是:本发明的等离子体处理装置阳极板和阴极板之间形成高频电场,并且阴极板厚度大于阳极板厚度,阴极板上设置有通气孔,通气孔与设置在阴极板和阳极板之间的气体腔连接,形成微空心阴极,能够简单均匀地处理物料,阳极板和阴极板之间有一绝缘层,能有效防止平行电极板正对打火,本装置不需要在真空条件下进行,只要在常压下就能很好的处理需要处理的物料。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。
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