[发明专利]薄膜厚度测量装置在审
申请号: | 201310717708.4 | 申请日: | 2013-12-23 |
公开(公告)号: | CN103673903A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 刘飞翔;蒲以康 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01B11/06 | 分类号: | G01B11/06 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 厚度 测量 装置 | ||
1.一种薄膜厚度测量装置,其特征在于,包括:
紫外单色光源;
光阑,所述光阑垂直设置;
半透半反镜,所述半透半反镜的中心点、所述光阑的中心点与紫外单色光源位于同一直线上,所述半透半反镜所在平面与所述光阑所在平面夹45°角,所述半透半反镜用于将所述紫外单色光源透过所述光阑的入射光向上反射到待测薄膜的内外表面,以及用于透过所述待测薄膜的内外表面向下射出的反射光;以及
成像设备,所述成像设备水平设置在所述半透半反镜的下方。
2.根据权利要求1所述的薄膜厚度测量装置,其特征在于,所述紫外单色光源具体包括:高稳定恒流源、紫外发光二极管和极窄带滤光片。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜厚度测量装置,其特征在于,所述成像设备具体包括:水平设置的透紫外汇聚透镜和紫外CCD面阵。
4.根据权利要求1-3所述的薄膜厚度测量装置,其特征在于,所述薄膜厚度测量装置还包括:设有熔融石英窗的光学发黑箱体。
5.根据权利要求1-4所述的薄膜厚度测量装置,其特征在于,还包括半导体制冷片,所述半导体制冷片用于为所述紫外单色光源降温。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310717708.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。