[发明专利]太阳能电池有效
申请号: | 201310714732.2 | 申请日: | 2013-12-23 |
公开(公告)号: | CN103730520A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 简怡峻;张杰 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明是有关于一种太阳能电池。
背景技术
目前缩小太阳能电池的金属电极的尺寸为太阳能电池工艺的主要趋势之一。小尺寸的金属电极可减少金属电极覆盖光电转换结构的面积,进而增加太阳能电池的收光效率。然而一旦金属电极缩小,太阳能电池本身的电阻便会增加,如此一来反而会降低太阳能电池的效率。
另一方面,虽然以铜电镀的方法制作金属电极可达到较小尺寸的金属电极,然而由于电镀工艺的特性,所形成的金属电极的断面大多为蘑菇状,其会增加金属电极覆盖光电转换结构的面积并且减小电极与透明导电层的接触面积。蘑菇状的电极会降低收光效率,但减少电极遮光又会使电极与透明导电层的接触阻抗过大,两者都会影响太阳能电池的转换效率。
发明内容
本发明提出一种太阳能电池,以解决现有太阳能电池转换效率低的问题。
本发明的一态样提供一种太阳能电池,包含光电转换结构、第一导电结构与第二导电结构。光电转换结构具有入光面与相对入光面的背面。第一导电结构设置于光电转换结构的入光面,且与光电转换结构电性连接。第一导电结构包含第一透明导电层、电极结构与第二透明导电层。第一透明导电层设置于光电转换结构的入光面。至少部份的第一透明导电层置于电极结构与光电转换结构的入光面之间。第二透明导电层覆盖电极结构与第一透明导电层。第二导电结构设置于光电转换结构的背面。
在一或多个实施方式中,第一导电结构更包含缓冲层,置于电极结构与第二透明导电层之间。
在一或多个实施方式中,缓冲层的材质为锌(Zn)、钛(Ti)、锡(Sn)、铟(In)或上述的任意组合。
在一或多个实施方式中,第一导电结构更包含种子层,置于电极结构与第一透明导电层之间。
在一或多个实施方式中,种子层的材质为导电金属如铜或导电高分子聚合物如聚3,4-二氧乙基噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):聚苯乙烯磺酸(poly(styrene sulfonic acid)),PEDOT:PSS。
在一或多个实施方式中,第一透明导电层的厚度为约10纳米至100纳米。
在一或多个实施方式中,电极结构包含多个汇流电极与多个指状电极。指状电极分别与汇流电极交错排列,且与汇流电极电性连接。
在一或多个实施方式中,指状电极的宽度随着远离第一透明导电层而越大。
在一或多个实施方式中,指状电极的宽度随着远离第一透明导电层而越小。
在一或多个实施方式中,电极结构的材质为铜或银。
因第二透明导电层覆盖电极结构与第一透明导电层,因此第二透明导电层与电极结构之间具有大量的接触面积,使得光电转换结构的载子仍可容易地到达电极结构,光电转换结构与电极结构之间的电阻值便可有效降低。另一方面,第二透明导电层亦能够增加光线捕捉量。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明一实施方式的太阳能电池的立体图。
图2为沿图1的线段A-A的一实施方式的剖面图。
图3为图1的太阳能电池的上视图。
图4为沿图1的线段A-A的另一实施方式的剖面图。
100:光电转换结构 110:入光面
120:背面 200:第一导电结构
210:第一透明导电层 220:电极结构
222:汇流电极 224:指状电极
230:第二透明导电层 240:缓冲层
250:种子层 300:第二导电结构
T1、T2:厚度 W:宽度
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说,在本发明部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化图式起见,一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的