[发明专利]一种白炭黑生产中的沉淀方法有效

专利信息
申请号: 201310709706.0 申请日: 2013-12-21
公开(公告)号: CN103663476A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 刘松林;何勇岗;汤仁恒;骆吉林 申请(专利权)人: 瓮福(集团)有限责任公司;贵州瓮福蓝天氟化工股份有限公司
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12
代理公司: 贵阳东圣专利商标事务有限公司 52002 代理人: 袁庆云
地址: 550002 贵州省贵阳*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 炭黑 生产 中的 沉淀 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于化工技术领域,具体来说涉及一种白炭黑生产中的沉淀方法。

背景技术

在目前的白炭黑生产工艺中,由溶解釜进入的氟硅酸铵混合液浓度和温度都比较高,当较浓较高温度氟硅酸铵溶液与高浓度的气氨发生沉淀反应时,其反应较为剧烈,造成过快完成反应,同时温度控制比较困难,导致结晶过细,不易形成晶孔,致使表面积缩小,造成产品吸油值过低,氨耗较高,高于设计值30%以上,产品质量达不到设计要求。

 

发明内容

本发明的目的在于克服上述缺点而提供的一种能提高产品的吸油值,降低氨耗,保证产品质量的白炭黑生产中的沉淀方法。

本发明的一种白炭黑生产中的沉淀方法,包括以下步骤:

(1)在陈化槽泵出口安装一根返料管至沉淀釜B和沉淀釜A、从B沉淀釜循环泵出口安装一根管道至沉淀釜A;

(2)在生产过程中,将陈化槽中和好的物料通过泵返回沉淀釜A、沉淀釜B;或将陈化槽的物料返回沉淀釜B,再将沉淀釜B的物料返回到沉淀釜A;沉淀釜温度控制在40~80℃。

上述的一种白炭黑生产中的沉淀方法,其中第(2)步具体为:来自溶解釜的氟硅酸铵进入沉淀系统,当沉淀釜A的液位达到80%,沉淀釜B的液位达到70%时,打开陈化槽返料管的阀门,向沉淀釜A和沉淀釜B返料,同时向沉淀釜A和B通入氨气,并调整沉淀釜A的PH值到8.0~8.5,反应温度控制在60~80℃,沉淀釜B的PH值至9.0~9.5,反应温度控制在40~60℃。

上述的一种白炭黑生产中的沉淀方法,其中第(2)步具体为:来自溶解釜的氟硅酸铵进入沉淀系统,当沉淀釜A的液位达到80%,沉淀釜B的液位达到70%时,打开陈化槽返料管的阀门,向沉淀釜B返料,打开沉淀釜B的返料管阀门,向沉淀釜A返料;同时向沉淀釜A和B通入氨气,并调整沉淀釜A的PH值到8.0~8.5,反应温度控制在60~80℃,沉淀釜B的PH值至9.0~9.5,反应温度控制在40~60℃。

 

本发明与现有技术相比,具有明显的有益效果,从以上技术方案可知:本发明将陈化槽的物料返回沉淀釜,稀释来自溶解釜的氟硅酸铵溶液浓度,从而降低氟硅酸铵与氨气的反应速率,降低其反应的剧烈强度,能有效控制沉淀反应的温度在40~80℃,使白炭黑在析出过程中形成较大表面积,保证沉淀反应的结晶速度,提高产品的吸油值,降低氨耗,比原来降低50%左右,保证产品质量。

以下通过具体实施方式,进一步说明本发明的有益效果。

  

附图说明

图1为本发明的工艺流程图;

 具体实施方式

以下结合较佳实施例,对依据发明提出的白炭黑生产中的沉淀方法,其具体实施方式,结构,特征及其方法,详细说明如后。

实施例1

一种白炭黑生产中的沉淀方法,包括以下步骤:

(1)在陈化槽泵出口安装一根返料管至沉淀釜B和沉淀釜A、从B沉淀釜循环泵出口安装一根管道至沉淀釜A;

(2)来自溶解釜的氟硅酸铵进入沉淀系统,当沉淀釜A的液位达到80%,沉淀釜B的液位达到70%时,打开陈化槽返料管的阀门,向沉淀釜A和沉淀釜B返料,同时向沉淀釜A和B通入氨气,并调整沉淀釜A的PH值到8.0~8.5,反应温度控制在60~80℃,沉淀釜B的PH值至9.0~9.5,反应温度控制在40~60℃。

通过上述操作降低沉淀釜中氟硅酸铵的浓度,降低反应的剧烈度,从而达到有效控制其反应温度和速率,使白炭黑的吸油值达到2.0cm3/g以上,氨气消耗减低了50%,节约了生产中成本。

实施例2

一种白炭黑生产中的沉淀方法,包括以下步骤:

(1)在陈化槽泵出口安装一根返料管至沉淀釜B和沉淀釜A、从B沉淀釜循环泵出口安装一根管道至沉淀釜A;

(2)来自溶解釜的氟硅酸铵进入沉淀系统,当沉淀釜A的液位达到80%,沉淀釜B的液位达到70%时,打开陈化槽返料管的阀门,向沉淀釜B返料,打开沉淀釜B的返料管阀门,向沉淀釜A返料;同时向沉淀釜A和B通入氨气,并调整沉淀釜A的PH值到8.0~8.5,反应温度控制在60~80℃,沉淀釜B的PH值至9.0~9.5,反应温度控制在40~60℃。

通过上述操作白炭黑的吸油值达到2.0cm3/g以上。

 

以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明做任何形式上的限制,任何未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。

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