[发明专利]基于超级电容的多点随机失效模拟法

权利要求书

1.一种基于超级电容的多点随机失效模拟法，其特征在于，构建一个由超级电容、超级电容控制器、电源管理系统、可编程充电电源以及中央控制器通过电路连接所构成的模拟多点随机失效的电路；所述电路中每个超级电容与超级电容控制器连接构成一组超级电容模拟电池组；所述整个电路中设有N组超级电容模拟电池组；所述每组超级电容模拟电池组中的超级电容端连接电池管理系统，并由可编程充电电源负责向其提供充电；所述每组超级电容模拟电池组中的超级电容控制器端连接可编程充电电源和中央控制器；所述超级电容控制器通过随机函数序列调节充电电流，将某超级电容先充满电，然后中央控制器会根据电池管理系统传来的数据，判断电池管理系统做出的响应是否正确。

2.根据权利要求1的基于超级电容的多点随机失效模拟法，其特征在于，所述超级电容控制器产生随机函数，该随机函数范围为0.1～5.0之间，每次由该超级电容控制器随机取一个小数a1，放在序列中，再取下一个小数x1，与序列中的数a1作比对，如果相同，则再取下一个作比对，直到b1！=a1，将b1放入序列，由此方法取出10个随机函数放入序列形成随机函数序列。

3.根据权利要求2的基于超级电容的多点随机失效模拟法，其特征在于，所述随机函数序列由超级电容控制器用来控制对应连接的超级电容的充放电倍率，继而达到产生多点随机失效的效果。

4.根据权利要求3的基于超级电容的多点随机失效模拟法，其特征在于，所述充放电倍率为1.0C～5.0C的不同值。以达到在整体电容组中某些电容个体处于过充状态，即满电荷状态，再也不能容纳多余电量；某些电容个体处于过放状态，即空电荷状态。

5.根据权利要求1或2或3的基于超级电容的多点随机失效模拟法，其特征在于，所述采用的超级电容规格为标称电压为4.2V，容量范围为1000F，内阻值<0.3mOhm的超级电容。

6.根据权利要求1或2或3的基于超级电容的多点随机失效模拟法，其特征在于，所述超级电容模拟电池组的组数N，1≤N＜200。