[发明专利]数据管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元有效
申请号: | 201310661603.1 | 申请日: | 2013-12-09 |
公开(公告)号: | CN104699413B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 叶志刚 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F12/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性随机存取存储器 存储器存储装置 第一数据 易失性随机存取存储器 非易失性存储器模块 存储器控制电路 数据管理 可复写式 存储 读取 数据存储 写入数据 主机系统 上电 断电 写入 配置 | ||
本发明提供一种数据管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。此方法包括:配置非易失性随机存取存储器与易失性随机存取存储器;将第一数据存储于非易失性随机存取存储器,其中第一数据包括来自主机系统的写入数据;将从可复写式非易失性存储器模块中读取的第二数据存储于易失性随机存取存储器;当存储器存储装置断电后重新上电时,将存储于非易失性随机存取存储器的第一数据写入至可复写式非易失性存储器模块中。
技术领域
本发明是有关于一种管理存储于非易失性随机存取存储器与易失性随机存取存储器中的数据管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。
背景技术
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如,快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小,以及无机械结构等特性,所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。一般来说,非易失性存储器模块会搭配易失性随机存取存储器使用。例如,当主机系统欲将一数据写入至非易失性存储器模块时,此数据会先被存储于此易失性随机存取存储器,然后再将此数据写入至非易失性存储器模块。经由适当的数据管理机制,这种非易失性存储器模块搭配易失性随机存取存储器的组合可有效提高整体的数据存取速度与操作弹性。
然而,在将存储于易失性随机存取存储器中的数据写入至非易失性存储器模块的过程中,若突然发生断电或电压供应不稳等供电问题时,存储在易失性随机存取存储器的数据可能会遗失,从而导致数据无法完整地被写入至非易失性存储器模块。因此,部分单位或个人可能会选择额外安装不断电系统(Uninterruptible Power Supply,简称:UPS)或超级电容(Supercapacitor),以在突然发生供电问题时,还能有短暂的时间完成部分数据的转移或备份,例如,将所有存储于易失性随机存取存储器中的数据备份至非易失性存储器模块,从而减少损失。但是,维护不断电系统的成本很高,且所能维持供电的时间也很短暂,在使用上还是不甚方便。
发明内容
本发明提供一种数据管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元,可有效回复存储器存储装置中因供电问题造成的数据写入错误。
本发明提供一种数据管理方法,适用于一存储器控制电路单元,存储器控制电路单元用以控制可复写式非易失性存储器模块,此数据管理方法包括:配置非易失性随机存取存储器与易失性随机存取存储器;将第一数据存储于非易失性随机存取存储器,其中第一数据包括来自主机系统的写入数据;将从可复写式非易失性存储器模块中读取的第二数据存储于易失性随机存取存储器;当存储器存储装置断电后重新上电时,将第一数据从非易失性随机存取存储器写入至可复写式非易失性存储器模块中。
在本发明的一实施例中,所述第一数据还包括逻辑地址与来自主机系统的写入指令,逻辑地址映射至可复写式非易失性存储器模块的实体抹除单元,并且将第一数据存储于非易失性随机存取存储器的步骤包括:接收来自主机系统的写入指令与对应于写入指令的写入数据,并根据写入指令获得逻辑地址;将写入指令、对应于写入指令的写入数据及逻辑地址存储于非易失性随机存取存储器;经由非易失性随机存取存储器将写入数据写入至可复写式非易失性存储器模块的实体抹除单元。
在本发明的一实施例中,所述实体抹除单元包括多个下实体程序化单元与对应于这些下实体程序化单元的多个上实体程序化单元,并且此数据管理方法还包括:当写入数据的至少一部分被存储于这些下实体程序化单元中的一第一下实体程序化单元,并且对应于一第一下实体程序化单元的一第一上实体程序化单元尚未被写入数据时,持续维护存储于非易失性随机存取存储器中的写入指令、写入数据及逻辑地址。
在本发明的一实施例中,所述当存储器存储装置断电后重新上电时,将第一数据从非易失性随机存取存储器写入至可复写式非易失性存储器模块中的步骤包括:判断是否发生对应于写入数据的写入阶段错误,其中写入阶段错误导致第一数据的至少一部分或全部没有被写入至可复写式非易失性存储器模块;若发生写入阶段错误,将第一数据的至少一部分或全部写入至可复写式非易失性存储器模块。
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