[发明专利]接触孔的刻蚀方法

权利要求书

1.一种接触孔的刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底从下至上依次包括停止层、阻挡层和介质层；

在所述介质层中形成通孔；

沿所述通孔刻蚀所述阻挡层至暴露出所述停止层的上表面，刻蚀所述阻挡层包括：进行第一次刻蚀处理以去除第一厚度的阻挡层；进行第一次去除聚合物处理；进行第二次刻蚀处理以去除第二厚度的阻挡层；进行第二次去除聚合物处理；进行第三次刻蚀处理以去除第三厚度的阻挡层；所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度之和等于所述阻挡层的厚度。

2.如权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化硅，所述介质层的材料为氧化硅。

3.如权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，每次进行所述去除聚合物处理的时间包括：10秒～20秒。

4.如权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，所述去除聚合物处理包括：向所述通孔中通入去除气体，并进行抽气。

5.如权利要求4所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，所述去除气体包括以下一种或多种气体：氮气、氢气、氧气、氩气。

6.如权利要求4所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，所述去除聚合物处理的气压包括：100毫托～200毫托，偏置功率小于200瓦，气体流量包括：400标况毫升/分钟～700标况毫升/分钟。

7.如权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，每次刻蚀去除的所述阻挡层的厚度范围包括：75埃～200埃。

8.如权利要求1所述的接触孔的刻蚀方法，其特征在于，还包括：在刻蚀所述阻挡层之后，进行湿法清洗处理。